Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Usmerňovače - Jednoduché
ES2FHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHM4G

diel: 93

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
HS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2G M4G

diel: 106

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHM2G

diel: 75

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S3MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3MB M4G

diel: 69

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V7G

diel: 111

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
RS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3G V7G

diel: 130

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní
SK13B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B M4G

diel: 70

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
RS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2K M4G

diel: 97

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní
S12GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V6G

diel: 65

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
RS3M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V6G

diel: 56

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní
ESH3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V6G

diel: 130

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 20ns,

Zoznam želaní
S12JC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V6G

diel: 107

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S1AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AB R5G

diel: 75

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SS34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34 V6G

diel: 126

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2A M4G

diel: 77

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V7G

diel: 140

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S12JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V7G

diel: 89

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 12A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V6G

diel: 142

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SS320 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS320 V6G

diel: 90

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
ES3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V7G

diel: 123

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
SS29 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 M4G

diel: 57

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SS23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HM4G

diel: 115

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KA M2G

diel: 105

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní
SK59BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHM4G

diel: 61

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MA M2G

diel: 130

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní
SS22HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22HR5G

diel: 112

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
ESH2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2B R5G

diel: 76

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 20ns,

Zoznam želaní
S1MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHM4G

diel: 119

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHR3G

diel: 53

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 720mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
ESH1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B R3G

diel: 144

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 15ns,

Zoznam želaní
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHR3G

diel: 102

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
ESH2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA R3G

diel: 67

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní
SS33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS33 V6G

diel: 58

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S4K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4K V6G

diel: 87

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23A M2G

diel: 111

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SK19BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHM4G

diel: 128

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní