Diódy - Usmerňovače - Jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

MUR360S V6G

diel: 110

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK16B M4G

diel: 72

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR310S V7G

diel: 104

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS35 V6G

diel: 48

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK110B M4G

diel: 111

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DV V6G

diel: 130

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 20ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS3M V6G

diel: 48

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS3F V7G

diel: 87

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR305S V7G

diel: 67

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S5JB M4G

diel: 141

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S3GBHR5G

diel: 88

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S8GC V6G

diel: 129

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2A M4G

diel: 90

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1DHR3G

diel: 66

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHR5G

diel: 138

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1M M2G

diel: 117

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK52BHM4G

diel: 99

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK320A M2G

diel: 57

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2M M4G

diel: 76

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GHM2G

diel: 62

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK34BHR5G

diel: 110

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V6G

diel: 131

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK54B M4G

diel: 65

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FHM2G

diel: 57

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S4B V6G

diel: 78

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CAHM2G

diel: 52

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2JA M2G

diel: 66

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 250ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2JAHM2G

diel: 55

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 250ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1GB M4G

diel: 136

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24HR5G

diel: 83

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 410mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS115 M2G

diel: 82

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS215HR5G

diel: 55

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2CA R3G

diel: 56

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S2DHM4G

diel: 131

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

US1G M2G

diel: 92

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2J M4G

diel: 50

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní