Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Usmerňovače - Jednoduché
S3BBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3BBHM4G

diel: 118

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
S3BB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3BB M4G

diel: 49

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
MUR360SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR360SB M4G

diel: 52

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
ES2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GA M2G

diel: 127

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
HS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2MA M2G

diel: 141

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní
HS1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1B M2G

diel: 90

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
RS3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3A V7G

diel: 49

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní
S12MC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12MC V6G

diel: 79

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
ES2JAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2JAHR3G

diel: 81

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
SS315 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS315 V7G

diel: 109

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SK515BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK515BHM4G

diel: 48

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SK33A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK33A R3G

diel: 126

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SS19HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19HM2G

diel: 114

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 800mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SSL24 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24 R5G

diel: 85

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 410mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SS115HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115HR3G

diel: 56

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
MUR340SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340SB M4G

diel: 140

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní
HS3KB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3KB M4G

diel: 59

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní
RS1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DHM2G

diel: 47

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní
S1GB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GB R5G

diel: 62

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
HS5G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V7G

diel: 96

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
SK82C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V7G

diel: 127

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SSL34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL34 V6G

diel: 79

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
ES2DAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DAHM2G

diel: 95

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
SS13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13HR3G

diel: 119

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
MUR420S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420S V6G

diel: 72

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní
S2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2KA M2G

diel: 68

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
MUR320S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR320S V6G

diel: 81

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní
SFF1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1601G C0G

diel: 128

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 975mV @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
HS2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2BA M2G

diel: 68

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
S1DBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DBHM4G

diel: 120

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SK54C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK54C V6G

diel: 92

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
HS2FA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2FA M2G

diel: 134

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
S8KC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S8KC V6G

diel: 73

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S5K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5K V6G

diel: 74

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
S3KB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3KB M4G

diel: 100

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
RS1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BHM2G

diel: 129

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní