Diódy - Usmerňovače - Jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

HS3F V6G

diel: 141

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GHM2G

diel: 121

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V6G

diel: 136

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1DB M4G

diel: 110

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK510C V6G

diel: 46

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BB R5G

diel: 76

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CHM4G

diel: 132

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK52B M4G

diel: 133

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR460S V6G

diel: 60

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2D M4G

diel: 105

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK115BHR5G

diel: 89

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1A M2G

diel: 142

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS215 M4G

diel: 117

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS5F V6G

diel: 56

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1J M2G

diel: 64

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S10JC V6G

diel: 64

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS15HR3G

diel: 113

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S4M V6G

diel: 54

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S3BBHR5G

diel: 50

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HR5G

diel: 128

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 410mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS3A V6G

diel: 48

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK14B R5G

diel: 68

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS3J V7G

diel: 90

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK34B M4G

diel: 140

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SKL13BHR5G

diel: 46

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 390mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK33AHR3G

diel: 131

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1603GHC0G

diel: 104

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 975mV @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK33BHM4G

diel: 129

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KB M4G

diel: 57

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KB R5G

diel: 66

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160S M4G

diel: 139

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KBHR5G

diel: 136

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V7G

diel: 119

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160SHR5G

diel: 142

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2AA M2G

diel: 88

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK39BHM4G

diel: 132

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní