Diódy - Usmerňovače - Jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

SK39B R5G

diel: 85

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS3D V7G

diel: 103

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHR3G

diel: 91

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK39AHM2G

diel: 95

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS25HM4G

diel: 113

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHM2G

diel: 101

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK36B M4G

diel: 98

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DV V7G

diel: 68

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 20ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK25A R3G

diel: 95

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2BAHM2G

diel: 108

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S12KC V7G

diel: 102

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 12A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S2JHM4G

diel: 46

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S3A V7G

diel: 120

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S3JB M4G

diel: 88

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK55B M4G

diel: 129

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS3G V6G

diel: 79

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S2D M4G

diel: 137

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS110 M2G

diel: 102

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 800mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V6G

diel: 46

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GHM4G

diel: 78

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS5K V6G

diel: 53

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS29HM4G

diel: 129

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1K M2G

diel: 114

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HM4G

diel: 94

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 410mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

US1D M2G

diel: 74

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1A R3G

diel: 61

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V6G

diel: 102

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V6G

diel: 64

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2AAHM2G

diel: 87

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2J M4G

diel: 65

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2GAHM2G

diel: 95

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1JBHM4G

diel: 85

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2GA M2G

diel: 82

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS32 V7G

diel: 88

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

US1DHM2G

diel: 80

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V6G

diel: 125

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 20ns,

Zoznam želaní