Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Usmerňovače - Jednoduché
ESH1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1D M2G

diel: 95

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 15ns,

Zoznam želaní
ES3F V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3F V7G

diel: 133

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
SK32B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK32B M4G

diel: 76

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
US1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1JHM2G

diel: 94

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní
RS2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2BA R3G

diel: 69

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní
S1DBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DBHR5G

diel: 136

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SK115B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK115B R5G

diel: 101

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
ES1F M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1F M2G

diel: 74

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
MUR140SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR140SHM4G

diel: 95

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
MUR340SBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340SBHM4G

diel: 73

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
SK19BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHR5G

diel: 90

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SSL14 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL14 M2G

diel: 73

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 390mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
RS1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JHR3G

diel: 87

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 250ns,

Zoznam želaní
SS25HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25HR5G

diel: 91

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S4G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4G V6G

diel: 77

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
SK56C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK56C V6G

diel: 97

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
HS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1G M2G

diel: 50

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
SS12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12HM2G

diel: 71

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SS29HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29HR5G

diel: 101

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
S3DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3DB M4G

diel: 79

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní
RS2B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2B M4G

diel: 59

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní
HS3K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3K V6G

diel: 139

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní
HS5M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5M V6G

diel: 133

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní
MUR140SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR140SHR5G

diel: 90

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
SK315B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK315B M4G

diel: 65

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
ES2GAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GAHM2G

diel: 142

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
SK23AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23AHM2G

diel: 71

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
RS2MAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MAHM2G

diel: 120

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní
ES2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DA M2G

diel: 56

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
SK215A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK215A M2G

diel: 103

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
US1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1KHR3G

diel: 143

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní
SSL32 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL32 V6G

diel: 128

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní
SFF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1603G C0G

diel: 66

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 975mV @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
ES1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1C M2G

diel: 124

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní
HS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2A R5G

diel: 54

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní
ESH2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA M2G

diel: 93

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní