Diódy - Usmerňovače - Jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

HS3A V6G

diel: 76

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 50ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S10GC V6G

diel: 127

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1D M2G

diel: 92

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHR5G

diel: 135

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BHR5G

diel: 64

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1008GAHC0G

diel: 55

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S5MB M4G

diel: 75

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1A R3G

diel: 132

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S5B V6G

diel: 114

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2DA M2G

diel: 57

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S2BHR5G

diel: 70

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK56BHR5G

diel: 66

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3D V6G

diel: 45

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DHM2G

diel: 140

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK110BHM4G

diel: 108

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S2DHR5G

diel: 120

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1GBHR5G

diel: 79

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23 M4G

diel: 141

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 410mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S3AB M4G

diel: 55

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1601GHC0G

diel: 42

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 975mV @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK55C V6G

diel: 56

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V6G

diel: 73

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS12 M2G

diel: 129

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S3DBHR5G

diel: 63

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK520C V7G

diel: 87

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3A V6G

diel: 80

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JHM2G

diel: 54

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3GB M4G

diel: 110

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.13V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S5D V6G

diel: 68

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1602G C0G

diel: 65

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 975mV @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK315A M2G

diel: 72

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SK59B R5G

diel: 56

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS24HM4G

diel: 82

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2DAHM2G

diel: 118

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S5KB M4G

diel: 133

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2AHR5G

diel: 140

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní