Diódy - Usmerňovače - Jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

BYG24G-M3/TR

diel: 160213

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

diel: 141773

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

diel: 131968

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

diel: 182415

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

diel: 178714

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

diel: 104636

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

diel: 136458

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

diel: 128490

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

diel: 129800

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1300V, Current - Average Rectified (Io): 1A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.9V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

diel: 120649

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

diel: 155324

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

diel: 188118

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

diel: 135545

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

diel: 137182

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

diel: 196477

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

diel: 116559

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

diel: 167113

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

diel: 151425

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

diel: 167334

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

diel: 177836

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

diel: 116100

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

diel: 126510

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

diel: 113240

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

diel: 197556

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

diel: 112695

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

diel: 164441

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

diel: 174425

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

diel: 199071

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

diel: 120482

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

diel: 162395

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

diel: 109092

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

diel: 111717

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

diel: 162156

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

diel: 131985

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

diel: 142403

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

diel: 178334

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní