Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Vishay Siliconix

2N6661JTXV02

diel: 1822

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6661JTXL02

diel: 6256

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6661JTVP02

diel: 1814

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6661JTX02

diel: 1843

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6661-E3

diel: 1817

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6661-2

diel: 1824

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6660JTXV02

diel: 1839

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 990mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6660JTXP02

diel: 1797

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 990mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6660JTX02

diel: 1843

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 990mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6660JTXL02

diel: 1782

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 990mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6660-E3

diel: 1842

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 990mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6660JTVP02

diel: 1813

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 990mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002-E3

diel: 1534

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 115mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002E

diel: 125033

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 240mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002-T1-GE3

diel: 166741

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 115mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6661JAN02

diel: 9463

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6661JTXP02

diel: 9544

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 860mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N6660-2

diel: 9516

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 990mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002E-T1-GE3

diel: 199703

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 240mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002-T1-E3

diel: 146560

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 115mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002E-T1-E3

diel: 175390

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 240mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002K-T1-GE3

diel: 122158

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 300mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

2N7002K-T1-E3

diel: 162145

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 300mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

3N164

diel: 1783

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 300 Ohm @ 100µA, 20V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

3N163-E3

diel: 1851

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

3N163

diel: 1830

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

3N163-2

diel: 6254

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

BS250KL-TR1-E3

diel: 409

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 270mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIHFS9N60A-GE3

diel: 106

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR010TRLPBF

diel: 112484

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF630STRLPBF

diel: 77056

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Zoznam želaní

SIS429DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS429DNT-T1-GE3

diel: 99

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10.5A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF840ASTRRPBF

diel: 39752

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF840LC

diel: 18635

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFI730GPBF

diel: 30867

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF610LPBF

diel: 82205

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V,

Zoznam želaní

3600

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»