Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

Domov
Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR

diel: 194309

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/H

diel: 192644

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR3

diel: 125355

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/H

diel: 131683

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/H

diel: 113290

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/I

diel: 185055

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR3

diel: 180703

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR3

diel: 162491

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/H

diel: 132072

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/H

diel: 136967

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR

diel: 178639

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR3

diel: 156019

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/I

diel: 190141

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/I

diel: 171388

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/I

diel: 102534

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR3

diel: 173966

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/I

diel: 115903

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I

diel: 182526

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H

diel: 172130

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/I

diel: 108801

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR3

diel: 111269

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/I

diel: 118403

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR3

diel: 119326

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR

diel: 190073

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR3

diel: 103238

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR3

diel: 180365

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR

diel: 170299

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/H

diel: 116233

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/H

diel: 112902

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/I

diel: 132466

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-M3/TR3

diel: 181386

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H

diel: 194033

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/I

diel: 123257

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR3

diel: 130377

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR3

diel: 175101

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/H

diel: 102483

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

3600

«
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
»