Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

Domov
Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

diel: 183725

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

diel: 115069

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

diel: 197411

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

diel: 133472

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

diel: 189054

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

diel: 154231

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

diel: 129432

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

diel: 181553

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

diel: 177768

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

diel: 144093

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

diel: 138230

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

diel: 163164

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

diel: 107656

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

diel: 135582

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

diel: 187643

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

diel: 141453

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

diel: 151105

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

diel: 110757

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

diel: 163338

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

diel: 160116

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

diel: 174275

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

diel: 159460

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

diel: 116335

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

diel: 199885

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

diel: 187956

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

diel: 199372

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

diel: 176378

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

diel: 183930

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

diel: 155546

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

diel: 125757

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

diel: 196711

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

diel: 186120

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

diel: 139157

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

diel: 185358

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

diel: 310

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

diel: 195437

Typ diódy: Avalanche, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 1.5A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 4µs,

Zoznam želaní

3600

«
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
»