Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednotliv&e

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednotliv&e
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

diel: 176974

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

diel: 1741

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

diel: 116110

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

diel: 1726

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

diel: 133617

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

diel: 1717

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

diel: 103457

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Zoznam želaní
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

diel: 114770

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

diel: 192815

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

diel: 1776

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

diel: 181928

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

diel: 185360

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

diel: 1709

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 200 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

diel: 116839

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

diel: 125855

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

diel: 3186

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

diel: 138320

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

diel: 1723

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

diel: 154084

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní