Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - IGBT - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - IGBT - jednotlivé
GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT60N321(Q)

diel: 6662

Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1000V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 60A, Prúd - zberač impulzný (Icm): 120A, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Výkon - max: 170W,

Zoznam želaní
GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

diel: 6662

Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50A, Prúd - zberač impulzný (Icm): 100A, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Výkon - max: 240W,

Zoznam želaní
GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

diel: 6700

Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 400V, Prúd - zberač impulzný (Icm): 150A, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Výkon - max: 600mW,

Zoznam želaní
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

diel: 6737

Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 400V, Prúd - zberač impulzný (Icm): 200A, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Výkon - max: 1W,

Zoznam želaní
GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

diel: 6730

Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 10A, Prúd - zberač impulzný (Icm): 20A, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Výkon - max: 60W,

Zoznam želaní