Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednotliv&e | Diskrétne polovodičové výrobk | 6

RN1112(T5L,F,T)

diel: 1924

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

diel: 126227

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

diel: 1912

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

diel: 100188

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

diel: 1954

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

diel: 1987

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

diel: 1976

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

diel: 1970

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

diel: 1984

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

diel: 2177

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

diel: 1902

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

diel: 9904

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

diel: 116634

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

diel: 1960

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 300mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

diel: 2029

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

diel: 1997

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

diel: 128621

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

diel: 1985

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

diel: 1935

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

diel: 1956

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

diel: 2014

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

diel: 176393

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

diel: 158736

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

diel: 147458

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

diel: 1999

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

diel: 1905

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

diel: 1959

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

diel: 1945

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

diel: 159037

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

diel: 1965

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

diel: 1933

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

diel: 3234

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

diel: 1981

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

diel: 184462

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

diel: 140630

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

diel: 164879

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní