Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednotliv&e

Domov
Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednotliv&e

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115,LF(CT

diel: 116693

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1426TE85LF

diel: 126115

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1401,LF

diel: 151885

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111,LF(CT

diel: 113

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

RN2317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2317(TE85L,F)

diel: 180586

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1130MFV,L3F

diel: 140527

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108MFV,L3F

diel: 149

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN2103(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103(T5L,F,T)

diel: 2147

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104T5LFT

diel: 2144

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1409,LF

diel: 120898

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2302,LF

diel: 145

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2403,LF

diel: 88

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110MFV,L3F

diel: 174

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1427TE85LF

diel: 108821

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1315,LF

diel: 166

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2412TE85LF

diel: 119344

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2409,LF

diel: 182087

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN2109ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109ACT(TPL3)

diel: 2148

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1307,LF

diel: 145

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1302,LF

diel: 2227

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN2308(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2308(TE85L,F)

diel: 2150

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1422TE85LF

diel: 124907

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

Zoznam želaní

RN1114(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114(T5L,F,T)

diel: 2223

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109,LF(CT

diel: 140640

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2116,LF(CT

diel: 149505

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN1110ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110ACT(TPL3)

diel: 3291

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

RN2310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310(TE85L,F)

diel: 174145

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102,LF(CT

diel: 105795

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111MFV,L3F

diel: 125

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2427TE85LF

diel: 131174

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1442ATE85LF

diel: 2201

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 300mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Zoznam želaní

RN2304(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2304(TE85L,F)

diel: 192778

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN1116(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116(TE85L,F)

diel: 2175

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309(TE85L,F)

diel: 2140

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN2318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2318(TE85L,F)

diel: 150561

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

RN1113ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113ACT(TPL3)

diel: 2200

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

199

«
1
2
3
4
5
6
»