Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

diel: 99

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 9V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

diel: 140

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 14V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

diel: 137

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 28.8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

diel: 176

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±9.68%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

diel: 141

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 11V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

diel: 172

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 21V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

diel: 86

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 17V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

diel: 127

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 16V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

diel: 153

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

diel: 98

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 7V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

diel: 114

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 19V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

diel: 118

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 13V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

diel: 89

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

diel: 142

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 65 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 37.6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

diel: 173943

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 10V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

diel: 170

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 34.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

diel: 150

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 35 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 31.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

diel: 8202

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

diel: 3906

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 16V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

diel: 8171

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 65 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 37.6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

diel: 8174

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 21V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

diel: 5464

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 26.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

diel: 8245

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

diel: 8173

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 7V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

diel: 152718

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

diel: 127852

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 4.9V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

diel: 138193

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 4.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

diel: 5349

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.1V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 5.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

diel: 5364

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 700mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 13V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 200mA,

Zoznam želaní