Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T1G

diel: 163781

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5237DW1T1
ON Semiconductor

MUN5237DW1T1

diel: 1518

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5335DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T2G

diel: 164842

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVB114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB114YPDXV6T1G

diel: 116749

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5115DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5115DW1T1G

diel: 128974

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124XPDXV6T1G

diel: 1461

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114EPDXV6T1G

diel: 131643

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5312DW1T1
ON Semiconductor

MUN5312DW1T1

diel: 1526

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5236DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5236DW1T1G

diel: 90859

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5112DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5112DW1T1G

diel: 58075

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123TDP6T5G

diel: 120018

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1003DXV5T1G

diel: 1527

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

Zoznam želaní
EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T5G

diel: 1485

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T1G

diel: 138112

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5114DW1T1G

diel: 128956

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
UMA4NT1
ON Semiconductor

UMA4NT1

diel: 1408

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T1

diel: 1412

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5312DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5312DW1T1G

diel: 126786

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5333DW1T1G

diel: 124275

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5114DW1T1
ON Semiconductor

MUN5114DW1T1

diel: 1502

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T1

diel: 1414

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC124EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1

diel: 1455

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA143TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143TDXV6T1

diel: 1435

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TDXV6T1

diel: 1400

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVMUN531335DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T1G

diel: 161762

Typ tranzistora: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5212DW1T1G

diel: 111873

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1G

diel: 116194

Typ tranzistora: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 150mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1G

diel: 191549

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T1G

diel: 13232

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5G

diel: 1414

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5335DW1T2G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T2G

diel: 183726

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1G

diel: 132657

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5116DW1T1
ON Semiconductor

MUN5116DW1T1

diel: 3233

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC3NT1G

diel: 183136

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA144EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBA144EDXV6T5

diel: 1491

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TPDP6T5G

diel: 193516

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní