Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSVTB60BDW1T1G

diel: 121402

Typ tranzistora: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 150mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1G

diel: 1427

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5311DW1T1
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1

diel: 1405

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1

diel: 1502

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1

diel: 1447

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T3G

diel: 194732

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1G

diel: 119881

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5215DW1T1G

diel: 125619

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5313DW1T1
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1

diel: 1441

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5115DW1T1G

diel: 191265

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC123JPDXV6T1G

diel: 170675

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1

diel: 1631

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144WDXV6T1G

diel: 196284

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5233DW1T1
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1

diel: 1457

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1G

diel: 71232

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVEMD4DXV6T5G

diel: 115919

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T1

diel: 1489

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1G

diel: 1466

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EDXV6T1

diel: 1446

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143EDP6T5G

diel: 184541

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T1G

diel: 119356

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T5G

diel: 160922

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T1G

diel: 167806

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1

diel: 3201

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5215DW1T1G

diel: 136906

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
IMH20TR1
ON Semiconductor

IMH20TR1

diel: 1463

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 600mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 15V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Zoznam želaní
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5

diel: 5401

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5131DW1T1G

diel: 122560

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1

diel: 3203

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1G

diel: 171080

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDP6T5G

diel: 133800

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5231DW1T1G

diel: 74853

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1G

diel: 1524

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T5G

diel: 167892

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDP6T5G

diel: 165090

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5236DW1T1
ON Semiconductor

MUN5236DW1T1

diel: 1402

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní