Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - programovateľná spojka

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - programovateľná spojka
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

diel: 2509

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 600mV, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 25µA,

Zoznam želaní
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

diel: 2537

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 600mV, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 25µA,

Zoznam želaní
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

diel: 2538

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 1.6V, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 50µA,

Zoznam želaní
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

diel: 2531

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 600mV, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 25µA,

Zoznam želaní
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

diel: 2482

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 1.6V, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 50µA,

Zoznam želaní
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

diel: 2534

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 600mV, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 25µA,

Zoznam želaní
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

diel: 2493

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 1.6V, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 50µA,

Zoznam želaní
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

diel: 2505

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 600mV, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 25µA,

Zoznam želaní
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

diel: 2518

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 1.6V, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 50µA,

Zoznam želaní
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

diel: 2522

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 600mV, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 25µA,

Zoznam želaní
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

diel: 2457

Napätie: 40V, Strata výkonu (max.): 300mW, Napätie - výstup: 11V, Napätie - ofset (Vt): 1.6V, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10nA, Aktuálny - Údolie (Iv): 50µA,

Zoznam želaní