Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred
MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5134DW1T1G

diel: 90827

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5231DW1T1G

diel: 137429

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor

EMF5XV6T5G

diel: 186407

Typ tranzistora: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, 12V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

Zoznam želaní
NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1G

diel: 192037

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1

diel: 1432

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TDP6T5G

diel: 145523

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5135DW1T1G

diel: 164885

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NUS2401SNT1
ON Semiconductor

NUS2401SNT1

diel: 1477

Typ tranzistora: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 200mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms,

Zoznam želaní
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T1G

diel: 182836

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDP6T5G

diel: 114384

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB144EPDXV6T1G

diel: 165773

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T5G

diel: 1529

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1

diel: 1497

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor

NUS2401SNT1G

diel: 172039

Typ tranzistora: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 200mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 175 Ohms, 10 kOhms,

Zoznam želaní
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM11156DW6T1G

diel: 3218

Typ tranzistora: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, 65V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Zoznam želaní
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1

diel: 1482

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1

diel: 3141

Typ tranzistora: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 150mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1G

diel: 163042

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EPDP6T5G

diel: 123578

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1

diel: 1438

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDP6T5G

diel: 164714

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T1G

diel: 190768

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T5G

diel: 134086

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5211DW1T1
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1

diel: 1438

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1G

diel: 1489

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5137DW1T1
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1

diel: 1469

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1G

diel: 106805

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5336DW1T1G

diel: 9982

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1

diel: 1469

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T1G

diel: 189012

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
UMC2NT1
ON Semiconductor

UMC2NT1

diel: 1476

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1

diel: 1420

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC4DXV5T1G

diel: 149530

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G

diel: 138481

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T5

diel: 1490

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1G

diel: 190887

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní