Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1

diel: 1456

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5

diel: 1405

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5

diel: 3242

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EDXV6T1G

diel: 129082

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5316DW1T1G

diel: 160200

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1G

diel: 136591

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5133DW1T1G

diel: 183679

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1

diel: 1532

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21156DW6T1G

diel: 1463

Typ tranzistora: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, 65V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Zoznam želaní
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5130DW1T1G

diel: 181618

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1G

diel: 155743

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1004DXV5T1G

diel: 3211

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

Zoznam želaní
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDP6T5G

diel: 167686

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5230DW1T1
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1

diel: 1467

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5136DW1T1
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1

diel: 1413

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
UMA4NT1G
ON Semiconductor

UMA4NT1G

diel: 1478

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G

diel: 64095

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5214DW1T1G

diel: 115714

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV65G

diel: 1485

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5230DW1T1G

diel: 174998

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5131DW1T1G

diel: 110079

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144EDP6T5G

diel: 162633

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1G

diel: 3198

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1G

diel: 150495

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1

diel: 1458

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5212DW1T1
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1

diel: 1497

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1G

diel: 188714

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G

diel: 130128

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB123JPDXV6T1G

diel: 107622

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA115TDP6T5G

diel: 146030

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
MUN5232DW1T1
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1

diel: 1444

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1

diel: 1461

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T5G

diel: 162821

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114YDP6T5G

diel: 197883

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC2NT1G

diel: 193262

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní
SMUN5235DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T3G

diel: 170254

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Zoznam želaní