Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
SFP9640
ON Semiconductor

SFP9640

diel: 791

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

Zoznam želaní
FDD45AN06LA0
ON Semiconductor

FDD45AN06LA0

diel: 656

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.2A (Ta), 25A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V,

Zoznam želaní
FQB8N60CFTM
ON Semiconductor

FQB8N60CFTM

diel: 611

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.26A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V,

Zoznam želaní
NTLJS3180PZTBG
ON Semiconductor

NTLJS3180PZTBG

diel: 696

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

Zoznam želaní
FDU8796_F071
ON Semiconductor

FDU8796_F071

diel: 680

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
NIF9N05CLT1G
ON Semiconductor

NIF9N05CLT1G

diel: 6129

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 59V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 3V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V,

Zoznam želaní
FDD6776A
ON Semiconductor

FDD6776A

diel: 641

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17.7A (Ta), 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 17.7A, 10V,

Zoznam želaní
PCP1302-TD-H
ON Semiconductor

PCP1302-TD-H

diel: 148092

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 266 mOhm @ 1.5A, 10V,

Zoznam želaní
IRFM220BTF_FP001
ON Semiconductor

IRFM220BTF_FP001

diel: 737

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.13A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 570mA, 10V,

Zoznam želaní
NTMS4503NR2G
ON Semiconductor

NTMS4503NR2G

diel: 839

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 28V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V,

Zoznam želaní
FQB4N20TM
ON Semiconductor

FQB4N20TM

diel: 588

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V,

Zoznam želaní
NTR3162PT1G
ON Semiconductor

NTR3162PT1G

diel: 677

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD5803NT4G
ON Semiconductor

NTD5803NT4G

diel: 698

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 76A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
FQA28N15_F109
ON Semiconductor

FQA28N15_F109

diel: 595

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 16.5A, 10V,

Zoznam želaní
SFM9014TF
ON Semiconductor

SFM9014TF

diel: 711

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 900mA, 10V,

Zoznam želaní
NDS8435A
ON Semiconductor

NDS8435A

diel: 6066

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.9A, 10V,

Zoznam želaní
NTMFS4120NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4120NT1G

diel: 850

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 26A, 10V,

Zoznam želaní
FDA79N15
ON Semiconductor

FDA79N15

diel: 626

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 79A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 39.5A, 10V,

Zoznam želaní
FQD8P10TF_NB82052
ON Semiconductor

FQD8P10TF_NB82052

diel: 679

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

Zoznam želaní
NDT451AN_J23Z
ON Semiconductor

NDT451AN_J23Z

diel: 648

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.2A, 10V,

Zoznam želaní
FDS3670
ON Semiconductor

FDS3670

diel: 604

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.3A, 10V,

Zoznam želaní
FDD5N50TF_WS
ON Semiconductor

FDD5N50TF_WS

diel: 562

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4865N-1G
ON Semiconductor

NTD4865N-1G

diel: 696

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Ta), 44A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
IRFS644B_FP001
ON Semiconductor

IRFS644B_FP001

diel: 713

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 7A, 10V,

Zoznam želaní
IRF620B_FP001
ON Semiconductor

IRF620B_FP001

diel: 784

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

Zoznam želaní
FDP5680
ON Semiconductor

FDP5680

diel: 579

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
FQB55N10TM
ON Semiconductor

FQB55N10TM

diel: 62318

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 55A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 27.5A, 10V,

Zoznam želaní
NTMFS4851NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4851NT1G

diel: 620

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Ta), 66A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FDV304P_NB8U003
ON Semiconductor

FDV304P_NB8U003

diel: 597

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 460mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.7V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V,

Zoznam želaní
FDC796N_F077
ON Semiconductor

FDC796N_F077

diel: 6123

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V,

Zoznam želaní
FQPF12P20YDTU
ON Semiconductor

FQPF12P20YDTU

diel: 646

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 3.65A, 10V,

Zoznam želaní
FQI34P10TU
ON Semiconductor

FQI34P10TU

diel: 5648

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 16.75A, 10V,

Zoznam želaní
FQB22P10TM
ON Semiconductor

FQB22P10TM

diel: 83405

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
NTK3142PT1G
ON Semiconductor

NTK3142PT1G

diel: 882

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 215mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 260mA, 4.5V,

Zoznam želaní
NTMFS4836NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4836NT1G

diel: 867

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Ta), 90A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FDC699P_F077
ON Semiconductor

FDC699P_F077

diel: 656

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

Zoznam želaní