Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
FQA8N80C_F109
ON Semiconductor

FQA8N80C_F109

diel: 650

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V,

Zoznam želaní
FDS7760A
ON Semiconductor

FDS7760A

diel: 704

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
NTP5411NG
ON Semiconductor

NTP5411NG

diel: 675

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V,

Zoznam želaní
IRF540A
ON Semiconductor

IRF540A

diel: 753

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

Zoznam želaní
FDB5800_F085
ON Semiconductor

FDB5800_F085

diel: 558

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Ta), 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
FQPF10N60CT
ON Semiconductor

FQPF10N60CT

diel: 646

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.75A, 10V,

Zoznam želaní
HUFA75344P3_F085
ON Semiconductor

HUFA75344P3_F085

diel: 6078

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
FQPF3N50C
ON Semiconductor

FQPF3N50C

diel: 663

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Zoznam želaní
FDS6694
ON Semiconductor

FDS6694

diel: 627

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Zoznam želaní
NTTD4401FR2G
ON Semiconductor

NTTD4401FR2G

diel: 6091

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTMFS4849NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4849NT3G

diel: 6085

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10.2A (Ta), 71A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
IRFS634B_FP001
ON Semiconductor

IRFS634B_FP001

diel: 6094

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.05A, 10V,

Zoznam želaní
IRFS614B_FP001
ON Semiconductor

IRFS614B_FP001

diel: 724

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.4A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4858NA-1G
ON Semiconductor

NTD4858NA-1G

diel: 699

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTR3161NT1G
ON Semiconductor

NTR3161NT1G

diel: 629

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD80N02T4G
ON Semiconductor

NTD80N02T4G

diel: 897

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
IRF630B_FP001
ON Semiconductor

IRF630B_FP001

diel: 651

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Zoznam želaní
SFR9110TF
ON Semiconductor

SFR9110TF

diel: 783

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.4A, 10V,

Zoznam želaní
FDB3672
ON Semiconductor

FDB3672

diel: 643

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.2A (Ta), 44A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 44A, 10V,

Zoznam želaní
IRF840B
ON Semiconductor

IRF840B

diel: 722

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní
NTB5426NT4G
ON Semiconductor

NTB5426NT4G

diel: 659

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 60A, 10V,

Zoznam želaní
FQPF8N60CT
ON Semiconductor

FQPF8N60CT

diel: 6067

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Zoznam želaní
NVF6P02T3G
ON Semiconductor

NVF6P02T3G

diel: 172991

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 4.5V,

Zoznam želaní
FQD13N10LTM_NBEL001
ON Semiconductor

FQD13N10LTM_NBEL001

diel: 594

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní
FDAF69N25
ON Semiconductor

FDAF69N25

diel: 583

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 34A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 17A, 10V,

Zoznam želaní
FCP20N60_F080
ON Semiconductor

FCP20N60_F080

diel: 677

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
IRL530A
ON Semiconductor

IRL530A

diel: 765

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 5V,

Zoznam želaní
FDH5500-F085
ON Semiconductor

FDH5500-F085

diel: 660

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
FDD5N50UTF_WS
ON Semiconductor

FDD5N50UTF_WS

diel: 613

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Zoznam želaní
NTP2955G
ON Semiconductor

NTP2955G

diel: 71806

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 12A, 10V,

Zoznam želaní
FDP8441_F085
ON Semiconductor

FDP8441_F085

diel: 565

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Ta), 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
FQU7P06TU_NB82048
ON Semiconductor

FQU7P06TU_NB82048

diel: 672

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

Zoznam želaní
IRLR130ATM
ON Semiconductor

IRLR130ATM

diel: 731

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 6.5A, 5V,

Zoznam želaní
FDD6796A
ON Semiconductor

FDD6796A

diel: 692

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
IRFN214BTA_FP001
ON Semiconductor

IRFN214BTA_FP001

diel: 777

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 600mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 300mA, 10V,

Zoznam želaní
NTP5426NG
ON Semiconductor

NTP5426NG

diel: 6095

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 60A, 10V,

Zoznam želaní