Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
NTTFS4824NTWG
ON Semiconductor

NTTFS4824NTWG

diel: 716

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.3A (Ta), 69A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
FDS6688AS
ON Semiconductor

FDS6688AS

diel: 613

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14.5A, 10V,

Zoznam želaní
FDD6778A
ON Semiconductor

FDD6778A

diel: 638

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
NTB5412NT4G
ON Semiconductor

NTB5412NT4G

diel: 6085

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
MMDF3N02HDR2G
ON Semiconductor

MMDF3N02HDR2G

diel: 838

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

Zoznam želaní
FDD7030BL
ON Semiconductor

FDD7030BL

diel: 617

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Ta), 56A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

Zoznam želaní
FQD4N50TM_WS
ON Semiconductor

FQD4N50TM_WS

diel: 570

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V,

Zoznam želaní
FDI025N06
ON Semiconductor

FDI025N06

diel: 624

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 265A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
MTB30P06VT4G
ON Semiconductor

MTB30P06VT4G

diel: 600

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
FDP8870-F085
ON Semiconductor

FDP8870-F085

diel: 581

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 19A (Ta), 156A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
NTD70N03RT4G
ON Semiconductor

NTD70N03RT4G

diel: 892

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTB75N06T4G
ON Semiconductor

NTB75N06T4G

diel: 839

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Zoznam želaní
SCH2825-TL-E
ON Semiconductor

SCH2825-TL-E

diel: 150222

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 800mA, 10V,

Zoznam želaní
FDT55AN06LA0
ON Semiconductor

FDT55AN06LA0

diel: 579

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor

NILMS4501NR2G

diel: 848

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní
FQD5N60CTM_F080
ON Semiconductor

FQD5N60CTM_F080

diel: 647

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V,

Zoznam želaní
IRFR120ATM
ON Semiconductor

IRFR120ATM

diel: 712

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

Zoznam želaní
FD70N20PWD
ON Semiconductor

FD70N20PWD

diel: 612

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Ta),

Zoznam želaní
FQD2N60CTF_F080
ON Semiconductor

FQD2N60CTF_F080

diel: 714

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

Zoznam želaní
SSH70N10A
ON Semiconductor

SSH70N10A

diel: 739

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
SSP45N20B_FP001
ON Semiconductor

SSP45N20B_FP001

diel: 789

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.5A, 10V,

Zoznam želaní
FQU6N40CTU_NBEA001
ON Semiconductor

FQU6N40CTU_NBEA001

diel: 624

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V,

Zoznam želaní
FDD16AN08A0_NF054
ON Semiconductor

FDD16AN08A0_NF054

diel: 623

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4804NAT4G
ON Semiconductor

NTD4804NAT4G

diel: 586

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FQA6N80_F109
ON Semiconductor

FQA6N80_F109

diel: 664

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V,

Zoznam želaní
FDP15N65
ON Semiconductor

FDP15N65

diel: 6152

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
NTK3043NAT5G
ON Semiconductor

NTK3043NAT5G

diel: 635

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 210mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.65V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V,

Zoznam želaní
MTP20N15EG
ON Semiconductor

MTP20N15EG

diel: 725

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
NTD12N10T4G
ON Semiconductor

NTD12N10T4G

diel: 895

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní
NTD5414NT4G
ON Semiconductor

NTD5414NT4G

diel: 670

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 24A, 10V,

Zoznam želaní
FQD2P40TF_F080
ON Semiconductor

FQD2P40TF_F080

diel: 681

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.56A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V,

Zoznam želaní
NTLJS3180PZTAG
ON Semiconductor

NTLJS3180PZTAG

diel: 643

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD4810NT4G
ON Semiconductor

NTD4810NT4G

diel: 850

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTMFS4845NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4845NT3G

diel: 598

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13.7A (Ta), 115A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTHS5441PT1G
ON Semiconductor

NTHS5441PT1G

diel: 626

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.9A (Ta), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Zoznam želaní
SFH9240
ON Semiconductor

SFH9240

diel: 630

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

Zoznam želaní