Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
NTD5807NT4G
ON Semiconductor

NTD5807NT4G

diel: 6157

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní
FQP11N50CF
ON Semiconductor

FQP11N50CF

diel: 636

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 5.5A, 10V,

Zoznam želaní
IRFR210BTM_FP001
ON Semiconductor

IRFR210BTM_FP001

diel: 701

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.35A, 10V,

Zoznam želaní
NTMFS4744NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4744NT1G

diel: 820

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTMS4107NR2G
ON Semiconductor

NTMS4107NR2G

diel: 881

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
FDH633605
ON Semiconductor

FDH633605

diel: 666

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide),

Zoznam želaní
NTD4865N-35G
ON Semiconductor

NTD4865N-35G

diel: 641

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Ta), 44A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FQPF9N50CYDTU
ON Semiconductor

FQPF9N50CYDTU

diel: 667

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V,

Zoznam želaní
NDS331N_D87Z
ON Semiconductor

NDS331N_D87Z

diel: 660

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.7V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Zoznam želaní
FDC640P_F095
ON Semiconductor

FDC640P_F095

diel: 572

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTLJD3182FZTBG
ON Semiconductor

NTLJD3182FZTBG

diel: 694

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTB52N10T4G
ON Semiconductor

NTB52N10T4G

diel: 644

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 52A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 26A, 10V,

Zoznam želaní
SFP9540
ON Semiconductor

SFP9540

diel: 765

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 8.5A, 10V,

Zoznam želaní
IRFR220BTM_FP001
ON Semiconductor

IRFR220BTM_FP001

diel: 693

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

Zoznam želaní
NTMS5P02R2SG
ON Semiconductor

NTMS5P02R2SG

diel: 885

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.95A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Zoznam želaní
IRFU220BTU_FP001
ON Semiconductor

IRFU220BTU_FP001

diel: 698

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

Zoznam želaní
FDD45AN06LA0_F085
ON Semiconductor

FDD45AN06LA0_F085

diel: 643

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.2A (Ta), 25A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V,

Zoznam želaní
FQB22P10TM-F085
ON Semiconductor

FQB22P10TM-F085

diel: 716

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
FDC5614P_D87Z
ON Semiconductor

FDC5614P_D87Z

diel: 715

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3A, 10V,

Zoznam želaní
SFU9220TU_F080
ON Semiconductor

SFU9220TU_F080

diel: 785

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Zoznam želaní
FQPF11N40T
ON Semiconductor

FQPF11N40T

diel: 607

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 3.3A, 10V,

Zoznam želaní
FQU7P20TU_AM002
ON Semiconductor

FQU7P20TU_AM002

diel: 665

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.85A, 10V,

Zoznam želaní
FQU10N20TU_AM002
ON Semiconductor

FQU10N20TU_AM002

diel: 713

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V,

Zoznam želaní
FDJ129P_F077
ON Semiconductor

FDJ129P_F077

diel: 627

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Zoznam želaní
FDT458P
ON Semiconductor

FDT458P

diel: 196658

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V,

Zoznam želaní
NTMFS4851NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4851NT3G

diel: 599

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Ta), 66A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
SFR9024TM
ON Semiconductor

SFR9024TM

diel: 780

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 3.9A, 10V,

Zoznam želaní
FDC697P
ON Semiconductor

FDC697P

diel: 569

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 4.5V,

Zoznam želaní
SFR9014TF
ON Semiconductor

SFR9014TF

diel: 6073

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.7A, 10V,

Zoznam želaní
IRFU214BTU_FP001
ON Semiconductor

IRFU214BTU_FP001

diel: 722

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.1A, 10V,

Zoznam želaní
FDS9412A
ON Semiconductor

FDS9412A

diel: 601

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní
NTD60N02RT4G
ON Semiconductor

NTD60N02RT4G

diel: 862

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTB18N06LT4G
ON Semiconductor

NTB18N06LT4G

diel: 630

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.5A, 5V,

Zoznam želaní
NTD4815NHT4G
ON Semiconductor

NTD4815NHT4G

diel: 853

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FQD3N50CTM
ON Semiconductor

FQD3N50CTM

diel: 659

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

Zoznam želaní
FCD4N60TM_WS
ON Semiconductor

FCD4N60TM_WS

diel: 612

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V,

Zoznam želaní