Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

diel: 8448

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Zoznam želaní
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

diel: 163221

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

diel: 9937

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 16.5A, 10V,

Zoznam želaní
IRF9640STRLPBF

IRF9640STRLPBF

diel: 73327

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Zoznam želaní
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

diel: 21389

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

Zoznam želaní
SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3

diel: 173909

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.9A (Tj), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Zoznam želaní
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

diel: 70111

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SI3440DV-T1-GE3

SI3440DV-T1-GE3

diel: 132457

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 1.5A, 10V,

Zoznam želaní
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

diel: 16074

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 21A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

diel: 9974

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Zoznam želaní
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

diel: 73517

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Zoznam želaní
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

diel: 148607

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SI7143DP-T1-GE3

SI7143DP-T1-GE3

diel: 118957

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 16.1A, 10V,

Zoznam želaní
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

diel: 162387

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

diel: 167044

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Zoznam želaní
SIHP17N80E-GE3

SIHP17N80E-GE3

diel: 13737

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Zoznam želaní
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

diel: 132144

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V,

Zoznam želaní
SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

diel: 10723

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Zoznam želaní
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

diel: 14884

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 21A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
SIHA22N60E-E3

SIHA22N60E-E3

diel: 17046

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 21A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
SQ3426EV-T1_GE3

SQ3426EV-T1_GE3

diel: 174027

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní
SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1

diel: 148595

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 1A, 4.5V,

Zoznam želaní
SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

diel: 187591

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.2V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Zoznam želaní
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

diel: 137221

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 190V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

Zoznam želaní
SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

diel: 199643

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.2A, 10V,

Zoznam želaní
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

diel: 17115

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1

diel: 163785

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.2V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 1A, 4.5V,

Zoznam želaní
SI1469DH-T1-E3

SI1469DH-T1-E3

diel: 160934

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

Zoznam želaní
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

diel: 177196

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Zoznam želaní
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

diel: 9545

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

Zoznam želaní
IRFR310TRPBF

IRFR310TRPBF

diel: 191323

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní
SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3

diel: 128678

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 420mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní
SI4630DY-T1-E3

SI4630DY-T1-E3

diel: 99308

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

diel: 91549

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

diel: 146234

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.1A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní
SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

diel: 165746

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní