Typ | Popis |
Stav časti | Active |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technológie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 10A (Ta) |
Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 600µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 5V |
Vgs (max.) | ±8V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | - |
Funkcia FET | - |
Strata výkonu (max.) | 1.5W (Ta) |
Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balík zariadení dodávateľa | 8-SO |
Balenie / puzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |