Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
SI4408DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4408DY-T1-E3

diel: 75002

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

Zoznam želaní
SI4413CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413CDY-T1-GE3

diel: 85095

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,

Zoznam želaní
SI4459BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4459BDY-T1-GE3

diel: 256

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SIRA06DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA06DP-T1-GE3

diel: 139936

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SI4164DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4164DY-T1-GE3

diel: 124191

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SIRA02DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA02DP-T1-GE3

diel: 86565

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SI4413ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4413ADY-T1-E3

diel: 91531

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Zoznam želaní
SISS65DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS65DN-T1-GE3

diel: 232

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25.9A (Ta), 94A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SI7456DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7456DP-T1-E3

diel: 98101

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.3A, 10V,

Zoznam želaní
SI4401BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4401BDY-T1-GE3

diel: 101828

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Zoznam želaní
SI3443BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-GE3

diel: 120247

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Zoznam želaní
SI4421DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4421DY-T1-E3

diel: 98039

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V,

Zoznam želaní
SIA469DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA469DJ-T1-GE3

diel: 161338

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní
SI2318DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2318DS-T1-GE3

diel: 149541

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V,

Zoznam želaní
SIRA18ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA18ADP-T1-GE3

diel: 256

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
SI4866DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4866DY-T1-E3

diel: 69536

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

Zoznam želaní
SIR106DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR106DP-T1-RE3

diel: 221

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SIR464DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR464DP-T1-GE3

diel: 116006

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SI2316DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2316DS-T1-GE3

diel: 187228

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.4A, 10V,

Zoznam želaní
SI7153DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7153DN-T1-GE3

diel: 257

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SIRA18DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA18DP-T1-RE3

diel: 278

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
SI4825DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4825DDY-T1-GE3

diel: 189511

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
SIAA00DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIAA00DJ-T1-GE3

diel: 297

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20.1A (Ta), 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SI7469DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7469DP-T1-E3

diel: 64458

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V,

Zoznam želaní
SI3443CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-E3

diel: 138955

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.97A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Zoznam želaní
SIRA36DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA36DP-T1-GE3

diel: 102596

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SIR104DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR104DP-T1-RE3

diel: 244

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18.3A (Ta), 79A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SI4463BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4463BDY-T1-GE3

diel: 124188

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13.7A, 10V,

Zoznam želaní
SI1032X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1032X-T1-GE3

diel: 188997

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 200mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Zoznam želaní
SI7421DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7421DN-T1-E3

diel: 113280

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.8A, 10V,

Zoznam želaní
SI4442DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-GE3

diel: 44328

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

Zoznam želaní
SI4447DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4447DY-T1-GE3

diel: 146334

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 15V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 4.5A, 15V,

Zoznam želaní
SI4401BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4401BDY-T1-E3

diel: 101863

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Zoznam želaní
IRFI9Z24GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9Z24GPBF

diel: 25091

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.1A, 10V,

Zoznam želaní
SI7326DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7326DN-T1-GE3

diel: 199618

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
SISS04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3

diel: 256

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50.5A (Ta), 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní