Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

SI5424DC-T1-E3

diel: 172273

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIHP17N60D-GE3

diel: 40020

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI6469DQ-T1-GE3

diel: 113296

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR9024TRRPBF

diel: 78823

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF9Z14SPBF

diel: 53085

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRLR014TRL

diel: 49562

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI6413DQ-T1-GE3

diel: 71547

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRLR024TRLPBF

diel: 91069

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI9407BDY-T1-E3

diel: 118920

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.2A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI4632DY-T1-E3

diel: 57356

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI7455DP-T1-E3

diel: 51908

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.5A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF737LC

diel: 29997

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.7A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI4176DY-T1-E3

diel: 102919

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.3A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIHP6N40D-E3

diel: 95987

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SQ7002K-T1-GE3

diel: 138643

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 320mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI3851DV-T1-E3

diel: 185072

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIS776DN-T1-GE3

diel: 158578

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI5414DC-T1-GE3

diel: 110805

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.9A, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI7174DP-T1-GE3

diel: 43912

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIA810DJ-T1-GE3

diel: 176206

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI4348DY-T1-E3

diel: 72606

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFPC50PBF

diel: 10388

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRLR110TRL

diel: 49124

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI7434DP-T1-E3

diel: 58938

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.8A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI3465DV-T1-E3

diel: 133695

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SUD15N15-95-E3

diel: 98108

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR9110TRRPBF

diel: 103404

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SUD50N024-09P-E3

diel: 132149

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 22V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 49A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI6423DQ-T1-GE3

diel: 86526

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIS424DN-T1-GE3

diel: 166937

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 19.6A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR214TRRPBF

diel: 113533

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIA813DJ-T1-GE3

diel: 199082

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIE864DF-T1-GE3

diel: 84907

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 45A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SIHP5N50D-E3

diel: 48509

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

SI7489DP-T1-GE3

diel: 57760

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 7.8A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-FC80NA20

diel: 2688

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 108A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní