Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduch&e | Diskrétne polovodičové výrobk | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

diel: 6969

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

diel: 7016

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

diel: 6976

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

diel: 6938

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

diel: 6937

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

diel: 6975

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

diel: 6952

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

diel: 7006

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

diel: 6949

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

diel: 6969

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

diel: 5673

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 400V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

diel: 6973

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 400V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

diel: 7026

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

diel: 6986

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

diel: 6951

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

diel: 6948

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

diel: 6957

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

diel: 6946

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

diel: 6957

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

diel: 6765

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

diel: 6941

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

diel: 7022

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

diel: 6775

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

diel: 6939

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

diel: 7019

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

diel: 6989

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

diel: 6940

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

diel: 7005

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

diel: 6727

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

diel: 7004

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

diel: 6990

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

diel: 6947

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 230V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

diel: 6752

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 230V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

diel: 6966

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 230V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

diel: 6942

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 230V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

diel: 6984

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 230V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní