Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduch&e

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduch&e
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CNO,A,F)

diel: 7027

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 60V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

diel: 7067

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 60V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

diel: 6998

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 60V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2257,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,NIKKIQ(J

diel: 7056

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2257,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

diel: 6993

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2257(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(Q,M)

diel: 7066

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2257,KEHINQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,KEHINQ(J

diel: 6789

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2257(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

diel: 6792

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2257(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

diel: 6778

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

diel: 6989

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

diel: 7064

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

diel: 7008

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

diel: 7045

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

diel: 7037

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Zoznam želaní
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

diel: 7039

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Zoznam želaní
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

diel: 7003

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Zoznam želaní
2SC6042,T2WNLQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

diel: 7001

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 375V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC6139,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

diel: 6717

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1.5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 160V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC6040,T2Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

diel: 7021

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 800V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

diel: 7019

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 375V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC6010(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

diel: 6714

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC6040(TPF2,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

diel: 7015

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 800V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5930(TPF2,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

diel: 6994

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5930(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

diel: 6971

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5201,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

diel: 6716

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5201,T6MURAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

diel: 7019

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5201,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

diel: 6724

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5201(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

diel: 6968

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5172(YAZK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

diel: 7006

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 400V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 20µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5201(T6MURATAFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

diel: 7026

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5171,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

diel: 6967

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5171,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

diel: 6979

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5171(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

diel: 6992

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

diel: 7059

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC5171(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

diel: 6988

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 180V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 5µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Zoznam želaní
2SC4935-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

diel: 7005

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Zoznam želaní