Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
UDZS10B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS10B RRG

diel: 255

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 180nA @ 7V,

Zoznam želaní
MTZJ3V9SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V9SB R0G

diel: 198

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.03V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJ33SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ33SD R0G

diel: 211

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 32.3V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 65 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 25V,

Zoznam želaní
TSZL52C4V7 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C4V7 RWG

diel: 200

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 78 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZL52C3V9 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C3V9 RWG

diel: 208

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.9V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ30SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ30SB R0G

diel: 182

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 28.42V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 23V,

Zoznam želaní
MTZJ4V3SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V3SB R0G

diel: 187

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
TSZL52C5V1 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C5V1 RWG

diel: 187

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.1V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 800mV, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
ZM4757A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4757A L0G

diel: 191

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 51V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Zoznam želaní
ZM4750A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4750A L0G

diel: 212

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 35 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Zoznam želaní
MTZJ9V1SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ9V1SC R0G

diel: 197

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.07V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 6V,

Zoznam želaní
TSZL52C8V2 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C8V2 RWG

diel: 159

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ6V2SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V2SC R0G

diel: 214

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.28V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 3V,

Zoznam želaní
UDZS4V3B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS4V3B RRG

diel: 175

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 1V,

Zoznam želaní
ZM4741A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4741A L0G

diel: 162

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 8 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 8.4V,

Zoznam želaní
MMSZ5246B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5246B RHG

diel: 211

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 17 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 12V,

Zoznam želaní
MTZJ11SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11SA R0G

diel: 242

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10.45V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 8V,

Zoznam želaní
MMSZ5243B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5243B RHG

diel: 255

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 13 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 9.9V,

Zoznam želaní
MTZJ8V2SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ8V2SC R0G

diel: 240

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.24V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 5V,

Zoznam želaní
MTZJ16SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ16SB R0G

diel: 214

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15.65V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 12V,

Zoznam želaní
UDZS15B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS15B RRG

diel: 9988

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 11V,

Zoznam želaní
MTZJ18B R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ18B R0G

diel: 6783

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 17.26V, Tolerancia: ±2.5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 13V,

Zoznam želaní
MTZJ7V5A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ7V5A R0G

diel: 3772

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.04V, Tolerancia: ±2.7%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 4V,

Zoznam želaní
MTZJ11B R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11B R0G

diel: 5246

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10.78V, Tolerancia: ±2.6%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 8V,

Zoznam želaní
MMSZ5248B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5248B RHG

diel: 45160

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 21 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 14V,

Zoznam želaní
MMSZ5232B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5232B RHG

diel: 53405

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 11 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 3V,

Zoznam želaní
MMSZ5245B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5245B RHG

diel: 58824

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 16 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 11V,

Zoznam želaní