Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
TSZU52C6V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C6V2 RGG

diel: 210

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C30 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C30 RGG

diel: 157

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 23V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C4V3 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C4V3 RGG

diel: 162

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C6V8 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C6V8 RGG

diel: 167

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 8 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C5V6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C5V6 RGG

diel: 158

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C8V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C8V2 RGG

diel: 208

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C10 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C10 RGG

diel: 145

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 7.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C2V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V2 RGG

diel: 188

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C20 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C20 RGG

diel: 216

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 50 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 15V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C11 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C11 RGG

diel: 182

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C33 RGG

diel: 160

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 25V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C2V0 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V0 RGG

diel: 171

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C2V4 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V4 RGG

diel: 199

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C24 RGG

diel: 158

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 18V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C3V6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C3V6 RGG

diel: 189

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 15µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C36 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C36 RGG

diel: 173

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 27V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C7V5 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C7V5 RGG

diel: 175

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZU52C39 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C39 RGG

diel: 171

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 29V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MMSZ5234B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5234B RHG

diel: 240

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 4V,

Zoznam želaní
MTZJ11SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11SC R0G

diel: 154

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11.1V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 8V,

Zoznam želaní
ZM4749A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4749A L0G

diel: 166

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Zoznam želaní
TSZL52C30 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C30 RWG

diel: 155

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 23V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ3V3SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V3SB R0G

diel: 249

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.43V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 120 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 20µA @ 1V,

Zoznam želaní
ZM4733A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4733A L0G

diel: 210

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.1V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1V,

Zoznam želaní
UDZS3V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS3V6B RRG

diel: 189

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 4.5µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJ5V1SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V1SA R0G

diel: 244

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.94V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1.5V,

Zoznam želaní
MTZJ2V2SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V2SB R0G

diel: 240

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.32V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 120µA @ 700mV,

Zoznam želaní
MTZJ15SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ15SC R0G

diel: 177

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 14.72V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 11V,

Zoznam želaní
MMSZ5262B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5262B RHG

diel: 183

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 51V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 125 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 39V,

Zoznam želaní
MTZJ39SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SB R0G

diel: 187

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36.28V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 30V,

Zoznam želaní
TSZL52C2V4 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C2V4 RWG

diel: 169

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MMSZ5225B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5225B RHG

diel: 210

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 29 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJ3V0SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V0SA R0G

diel: 235

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.96V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 120 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJ9V1SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ9V1SB R0G

diel: 210

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.79V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 6V,

Zoznam želaní
MTZJ39SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SD R0G

diel: 167

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 37.58V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 30V,

Zoznam želaní
MTZJ11SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11SB R0G

diel: 200

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10.78V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 8V,

Zoznam želaní