Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
MTZJ22SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ22SD R0G

diel: 155

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22.08V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 17V,

Zoznam želaní
ZM4731A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4731A L0G

diel: 214

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 9 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJ2V7SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V7SB R0G

diel: 166

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.8V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 110 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1V,

Zoznam želaní
MMSZ5251B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5251B RHG

diel: 192

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 29 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 17V,

Zoznam želaní
TSZL52C36 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C36 RWG

diel: 223

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 27V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ2V4SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V4SA R0G

diel: 220

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.43V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 120µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJ3V9SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V9SA R0G

diel: 204

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.88V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
TSZL52C16 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C16 RWG

diel: 149

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 12V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MMSZ5257B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5257B RHG

diel: 261

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 58 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 25V,

Zoznam želaní
ZM4737A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4737A L0G

diel: 204

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 4 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 5V,

Zoznam želaní
TSZL52C3V3 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C3V3 RWG

diel: 195

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 25µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
UDZS7V5B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS7V5B RRG

diel: 222

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 900nA @ 4V,

Zoznam želaní
UDZS27B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS27B RRG

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 21V,

Zoznam želaní
TSZL52C39 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C39 RWG

diel: 143

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 29V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
UDZS5V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS5V6B RRG

diel: 176

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 900nA @ 3V,

Zoznam želaní
TSZL52C6V2 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C6V2 RWG

diel: 142

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZL52C2V7 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C2V7 RWG

diel: 186

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 83 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 75µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ22SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ22SA R0G

diel: 222

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20.68V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 17V,

Zoznam želaní
MTZJ33SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ33SB R0G

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 31.1V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 65 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 25V,

Zoznam želaní
MTZJ27SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ27SA R0G

diel: 166

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24.89V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 21V,

Zoznam želaní
MTZJ6V2SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V2SB R0G

diel: 228

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.12V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 3V,

Zoznam želaní
MTZJ36SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ36SA R0G

diel: 185

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 32.97V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 75 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 27V,

Zoznam želaní
MTZJ13SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ13SA R0G

diel: 240

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12.43V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 35 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 10V,

Zoznam želaní
MMSZ5236B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5236B RHG

diel: 177

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 6 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 6V,

Zoznam želaní
MTZJ30SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ30SD R0G

diel: 185

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 29.77V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 23V,

Zoznam želaní
MTZJ20SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ20SB R0G

diel: 172

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 19.11V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 15V,

Zoznam želaní
UDZS13B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS13B RRG

diel: 209

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 10V,

Zoznam želaní
MTZJ4V3SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V3SA R0G

diel: 209

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.17V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
ZM4755A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4755A L0G

diel: 175

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 70 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Zoznam želaní
MTZJ10SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ10SC R0G

diel: 212

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.95V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 7V,

Zoznam želaní
ZM4754A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4754A L0G

diel: 236

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Zoznam želaní
TSZL52C18 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C18 RWG

diel: 175

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 50 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 14V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ51S R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ51S R0G

diel: 231

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 51V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 110 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 39V,

Zoznam želaní
MTZJ4V7SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ4V7SB R0G

diel: 198

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.68V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
ZM4743A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4743A L0G

diel: 158

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 9.9V,

Zoznam želaní
ZM4753A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4753A L0G

diel: 244

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 50 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Zoznam želaní