Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
MTZJ5V1SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V1SB R0G

diel: 244

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.07V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1.5V,

Zoznam želaní
MTZJ2V2SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V2SA R0G

diel: 158

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.21V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 120µA @ 700mV,

Zoznam želaní
MTZJ7V5SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ7V5SB R0G

diel: 213

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.26V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 4V,

Zoznam želaní
MMSZ5227B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5227B RHG

diel: 169

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 24 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 15µA @ 1V,

Zoznam želaní
MMSZ5237B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5237B RHG

diel: 179

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 8 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 6.5V,

Zoznam želaní
ZM4729A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4729A L0G

diel: 234

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1V,

Zoznam želaní
TSZL52C33 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C33 RWG

diel: 184

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 25V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
TSZL52C20 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C20 RWG

diel: 146

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 50 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 15V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
ZM4758A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4758A L0G

diel: 208

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 56V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 110 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Zoznam želaní
MTZJ7V5SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ7V5SC R0G

diel: 244

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.48V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 4V,

Zoznam želaní
ZM4742A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4742A L0G

diel: 183

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 9 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 9.1V,

Zoznam želaní
MTZJ36SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ36SB R0G

diel: 196

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33.64V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 75 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 27V,

Zoznam želaní
MTZJ3V6SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V6SA R0G

diel: 219

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.58V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1V,

Zoznam želaní
MMSZ5259B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5259B RHG

diel: 241

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 30V,

Zoznam želaní
MMSZ5256B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5256B RHG

diel: 257

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 49 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 23V,

Zoznam želaní
MTZJ2V7SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V7SA R0G

diel: 248

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.65V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 110 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJ15SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ15SA R0G

diel: 227

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13.79V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 11V,

Zoznam želaní
TSZL52C24 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C24 RWG

diel: 187

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 18V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
UDZS3V9B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS3V9B RRG

diel: 226

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.9V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 1V,

Zoznam želaní
TSZL52C3V6 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C3V6 RWG

diel: 217

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 15µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ10SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ10SA R0G

diel: 250

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.36V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 7V,

Zoznam želaní
ZM4738A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4738A L0G

diel: 219

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 4.5 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 6V,

Zoznam želaní
TSZL52C5V6 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C5V6 RWG

diel: 228

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ6V8SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ6V8SB R0G

diel: 233

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.66V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 3.5V,

Zoznam želaní
ZM4732A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4732A L0G

diel: 233

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 8 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1V,

Zoznam želaní
UDZS36B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS36B RRG

diel: 254

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 27V,

Zoznam želaní
TSZL52C4V3 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C4V3 RWG

diel: 189

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
MTZJ13SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ13SB R0G

diel: 193

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12.88V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 35 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 10V,

Zoznam želaní
UDZS22B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS22B RRG

diel: 255

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 17V,

Zoznam želaní
ZM4735A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4735A L0G

diel: 164

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 2 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 3V,

Zoznam želaní
MTZJ8V2SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ8V2SA R0G

diel: 251

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.73V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 5V,

Zoznam želaní
MTZJ27SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ27SC R0G

diel: 173

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 26.29V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 21V,

Zoznam želaní
MTZJ2V0SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V0SB R0G

diel: 225

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.11V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 120µA @ 500mV,

Zoznam želaní
MTZJ39SE R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SE R0G

diel: 214

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 38.33V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 30V,

Zoznam želaní
MTZJ27SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ27SD R0G

diel: 158

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 26.97V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 21V,

Zoznam želaní
MMSZ5226B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5226B RHG

diel: 208

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 28 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 25µA @ 1V,

Zoznam želaní