Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
BZT52B7V5-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B7V5-G RHG

diel: 200

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C10K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10K RKG

diel: 189

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 7V,

Zoznam želaní
BZT52B30S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30S RRG

diel: 262

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 21V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C6V2 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C6V2 RFG

diel: 191

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C16 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16 RHG

diel: 215

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 11.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B6V8 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8 RHG

diel: 178

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1.8µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B51S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B51S RRG

diel: 169

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 51V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 180 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 35.7V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C75S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75S RRG

diel: 261

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 75V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 255 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 52.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX584B9V1 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B9V1 RSG

diel: 212

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.1V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C56K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56K RKG

diel: 211

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 56V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 200 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 43V,

Zoznam želaní
BZT52B43-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43-G RHG

diel: 175

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 130 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 29.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C36 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36 RHG

diel: 228

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 25.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B27-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27-G RHG

diel: 203

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 18.9V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B24 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24 RHG

diel: 198

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 70 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 16.8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6S RRG

diel: 266

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 900nA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C5V1K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1K RKG

diel: 181

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.1V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1.5V,

Zoznam želaní
BZT52B13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B13S RRG

diel: 169

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 90nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B4V3 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V3 RHG

diel: 207

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C22S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22S RRG

diel: 189

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 15.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C39 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C39 RFG

diel: 187

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 130 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 27.3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B3V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V6S RRG

diel: 230

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 4.5µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12-G RHG

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C33S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33S RRG

diel: 266

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 23V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C33 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C33 RFG

diel: 219

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 23.1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C3V9 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V9 RFG

diel: 223

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.9V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B16S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16S RRG

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 11.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B5V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V1-G RHG

diel: 175

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.1V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B27S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27S RRG

diel: 178

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 18.9V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43S RRG

diel: 259

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 150 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 30.1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B15-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15-G RHG

diel: 214

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 10.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C24-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24-G RHG

diel: 183

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 70 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 16.8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C27-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27-G RHG

diel: 198

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 18.9V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43S RRG

diel: 167

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 150 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 30.1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C4V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7 RHG

diel: 174

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C3V9 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9 RHG

diel: 205

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.9V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C2V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7 RHG

diel: 185

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 18µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní