Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
BZV55B6V2 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B6V2 L0G

diel: 208

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní
BZT55B9V1 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B9V1 L1G

diel: 210

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.1V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 6.8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZV55C33 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C33 L0G

diel: 154

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 24V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT55B10 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B10 L1G

diel: 253

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 7.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT55B33 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B33 L1G

diel: 157

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 24V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT55C6V8 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C6V8 L0G

diel: 225

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 8 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C27 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C27 RFG

diel: 202

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 18.9V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B2V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7S RRG

diel: 234

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.7V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 18µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C62 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62 RHG

diel: 224

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 62V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 215 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 43.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C36 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C36 RFG

diel: 200

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 25.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C3V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3S RRG

diel: 238

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 4.5µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C5V1 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C5V1 RFG

diel: 181

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.1V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 60 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C16-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16-G RHG

diel: 197

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 11.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B75 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75 RHG

diel: 204

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 75V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 255 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 52.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B36-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36-G RHG

diel: 245

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 25.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C36S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36S RRG

diel: 215

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 25.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B75S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75S RRG

diel: 230

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 75V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 255 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 52.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C13 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C13 RFG

diel: 167

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B10S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B10S RRG

diel: 254

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 180nA @ 7V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B6V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V2S RRG

diel: 190

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C43-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43-G RHG

diel: 222

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 32V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C7V5S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5S RRG

diel: 189

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 900nA @ 5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C4V7-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7-G RHG

diel: 235

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C20 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C20 RFG

diel: 187

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 14V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7S RRG

diel: 182

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6S RRG

diel: 173

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 900nA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B11S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11S RRG

diel: 229

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 90nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C68 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68 RHG

diel: 192

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 68V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 240 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 47.6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C30K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30K RKG

diel: 172

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 23V,

Zoznam želaní
BZX584B6V8 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V8 RSG

diel: 237

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C3V6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V6 RFG

diel: 190

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11-G RHG

diel: 192

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C4V3K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3K RKG

diel: 243

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
BZT52C56S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56S RRG

diel: 230

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 56V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 200 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 39.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B3V9S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V9S RRG

diel: 222

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.9V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C11 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11 RHG

diel: 191

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 90nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní