Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
BZX84C11 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C11 RFG

diel: 250

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62S RRG

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 62V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 215 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 43.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B62S RRG

diel: 209

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 62V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 215 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 43.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C3V6K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6K RKG

diel: 257

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1V,

Zoznam želaní
BZT52C2V4S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4S RRG

diel: 177

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B30 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30 RHG

diel: 169

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 21V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C36K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36K RKG

diel: 204

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 27V,

Zoznam želaní
BZT52C43 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43 RHG

diel: 241

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 150 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 30.1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C7V5 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C7V5 RFG

diel: 238

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C18 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C18 RFG

diel: 179

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 12.6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B16-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16-G RHG

diel: 214

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 11.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX584B5V6 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B5V6 RSG

diel: 193

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C75K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75K RKG

diel: 230

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 75V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 255 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 57V,

Zoznam želaní
BZT52C68K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68K RKG

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 68V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 240 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 52V,

Zoznam želaní
BZT52B7V5S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B7V5S RRG

diel: 234

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 900nA @ 5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX584B6V2 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V2 RSG

diel: 210

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C5V6K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6K RKG

diel: 171

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 2.5V,

Zoznam želaní
BZT52B47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47S RRG

diel: 248

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 170 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 33V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B6V8-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8-G RHG

diel: 247

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C15 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C15 RFG

diel: 194

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 10.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C47S RRG

diel: 176

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 170 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 33V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B2V4S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4S RRG

diel: 195

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZD27C24P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C24P RQG

diel: 225

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24.2V, Tolerancia: ±5.78%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 18V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C220P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C220P RQG

diel: 203

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 220.5V, Tolerancia: ±5.66%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 900 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 160V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C68PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68PHRQG

diel: 179

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 68V, Tolerancia: ±5.88%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 51V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD17C12P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C12P RQG

diel: 266

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12V, Tolerancia: ±5.41%, Výkon - max: 800mW, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 9.1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C13PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C13PHRQG

diel: 242

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13.25V, Tolerancia: ±6.41%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 10V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C43P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C43P RQG

diel: 197

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±6.97%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 33V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C20PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C20PHRQG

diel: 268

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±6%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 15V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C100P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C100P RQG

diel: 173

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 100V, Tolerancia: ±6%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 200 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 75V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C180P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C180P RQG

diel: 221

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 179.5V, Tolerancia: ±6.4%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 450 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 130V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD17C18P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C18P RQG

diel: 257

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±6.38%, Výkon - max: 800mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 13V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C39P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C39P RQG

diel: 239

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5.12%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 30V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C27P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C27P RQG

diel: 245

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±7.03%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 20V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C62P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C62P RQG

diel: 265

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 62V, Tolerancia: ±6.45%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 47V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní
BZD27C91PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C91PHRHG

diel: 264

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 90.5V, Tolerancia: ±6.07%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 200 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 68V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 200mA,

Zoznam želaní