Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
BZT52C33K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33K RKG

diel: 223

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 25V,

Zoznam želaní
BZT52C10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10-G RHG

diel: 182

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 7V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C2V4 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4 RHG

diel: 211

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B47 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47 RHG

diel: 223

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 170 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 33V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C20K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20K RKG

diel: 233

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 15V,

Zoznam želaní
BZT52B3V0 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V0 RHG

diel: 245

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 9µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C9V1K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1K RKG

diel: 226

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.1V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 6V,

Zoznam želaní
BZT52C6V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V2K RKG

diel: 174

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 3V,

Zoznam želaní
BZT52C3V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6-G RHG

diel: 238

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39-G RHG

diel: 205

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 130 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 27.3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C30S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30S RRG

diel: 247

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 21V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4-G RHG

diel: 222

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C18K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18K RKG

diel: 208

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 13V,

Zoznam želaní
BZT52C22-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22-G RHG

diel: 241

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 15.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11-G RHG

diel: 200

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C3V3-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3-G RHG

diel: 248

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 95 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C22 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C22 RFG

diel: 251

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 15.4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4-G RHG

diel: 214

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C6V8 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8 RHG

diel: 204

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1.8µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C62K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62K RKG

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 62V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 215 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 47V,

Zoznam želaní
BZX84C2V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C2V7 RFG

diel: 209

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 20µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B18S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B18S RRG

diel: 253

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 12.6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C8V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2K RKG

diel: 195

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 5V,

Zoznam želaní
BZT52C24K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24K RKG

diel: 250

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 70 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 19V,

Zoznam želaní
BZT52B4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V7S RRG

diel: 234

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2.7µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C6V8K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8K RKG

diel: 241

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 3.5V,

Zoznam želaní
BZT52B33-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33-G RHG

diel: 216

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 23.1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C39-G RHG

diel: 235

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 130 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 27.3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20-G RHG

diel: 249

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 410mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 14V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZX84C4V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C4V7 RFG

diel: 263

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 300mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B39S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39S RRG

diel: 198

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 130 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 27.3V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13-G RHG

diel: 171

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20-G RHG

diel: 233

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 14V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52C5V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6-G RHG

diel: 186

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.6V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 350mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B15S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15S RRG

diel: 255

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 10.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní
BZT52B33S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33S RRG

diel: 220

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 45nA @ 23V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní