Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
HUFA76639P3
ON Semiconductor

HUFA76639P3

diel: 10013

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 51A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 51A, 10V,

Zoznam želaní
NTB90N02
ON Semiconductor

NTB90N02

diel: 352

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 90A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V,

Zoznam želaní
NTTFS3A08PZTWG
ON Semiconductor

NTTFS3A08PZTWG

diel: 143038

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 12A, 4.5V,

Zoznam želaní
FQB5N80TM
ON Semiconductor

FQB5N80TM

diel: 10058

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 2.4A, 10V,

Zoznam želaní
FQB6N70TM
ON Semiconductor

FQB6N70TM

diel: 10037

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V,

Zoznam želaní
FDD86102
ON Semiconductor

FDD86102

diel: 113259

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), 36A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní
FCU7N60TU
ON Semiconductor

FCU7N60TU

diel: 82

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Zoznam želaní
HUFA75332S3ST
ON Semiconductor

HUFA75332S3ST

diel: 10042

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V,

Zoznam želaní
MGSF1N03LT3
ON Semiconductor

MGSF1N03LT3

diel: 293

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.2A, 10V,

Zoznam želaní
HUFA76445S3ST
ON Semiconductor

HUFA76445S3ST

diel: 18

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
NTB75N06G
ON Semiconductor

NTB75N06G

diel: 286

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Zoznam želaní
FDU8780
ON Semiconductor

FDU8780

diel: 77

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
FDU8778
ON Semiconductor

FDU8778

diel: 56

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
HUFA75639P3
ON Semiconductor

HUFA75639P3

diel: 10071

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 56A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Zoznam želaní
FQAF58N08
ON Semiconductor

FQAF58N08

diel: 10008

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 44A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 22A, 10V,

Zoznam želaní
FDS8884
ON Semiconductor

FDS8884

diel: 105463

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8.5A, 10V,

Zoznam želaní
HUFA76443S3ST
ON Semiconductor

HUFA76443S3ST

diel: 40

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
FQA34N20L
ON Semiconductor

FQA34N20L

diel: 10030

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 34A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V,

Zoznam želaní
FDD6530A
ON Semiconductor

FDD6530A

diel: 167132

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 21A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8A, 4.5V,

Zoznam želaní
FQU3N60CTU
ON Semiconductor

FQU3N60CTU

diel: 151

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Zoznam želaní
NTB52N10G
ON Semiconductor

NTB52N10G

diel: 260

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 52A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 26A, 10V,

Zoznam želaní
FDU8796
ON Semiconductor

FDU8796

diel: 51

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
FQB6N90TM_AM002
ON Semiconductor

FQB6N90TM_AM002

diel: 10018

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 2.9A, 10V,

Zoznam želaní
NTTFS5116PLTWG
ON Semiconductor

NTTFS5116PLTWG

diel: 128868

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní
NTB90N02G
ON Semiconductor

NTB90N02G

diel: 332

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 90A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V,

Zoznam želaní
FDA75N28
ON Semiconductor

FDA75N28

diel: 227

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 280V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 37.5A, 10V,

Zoznam želaní
FQAF6N80
ON Semiconductor

FQAF6N80

diel: 10065

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 2.2A, 10V,

Zoznam želaní
HUFA75333S3ST
ON Semiconductor

HUFA75333S3ST

diel: 10062

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 66A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 66A, 10V,

Zoznam želaní
NVMFS5C673NLAFT3G
ON Semiconductor

NVMFS5C673NLAFT3G

diel: 16520

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 25A, 10V,

Zoznam želaní
NTD3055-094
ON Semiconductor

NTD3055-094

diel: 336

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní
ISL9N302AP3
ON Semiconductor

ISL9N302AP3

diel: 84

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
NTA4151PT1
ON Semiconductor

NTA4151PT1

diel: 282

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 760mA (Tj), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V,

Zoznam želaní
HUFA75339G3
ON Semiconductor

HUFA75339G3

diel: 10042

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
FDD8580
ON Semiconductor

FDD8580

diel: 125

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
NTB75N03L09G
ON Semiconductor

NTB75N03L09G

diel: 284

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 37.5A, 5V,

Zoznam želaní
FQA9N90C
ON Semiconductor

FQA9N90C

diel: 10070

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Zoznam želaní