Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
NTD4805N-35G
ON Semiconductor

NTD4805N-35G

diel: 509

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12.7A (Ta), 95A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4809NH-35G
ON Semiconductor

NTD4809NH-35G

diel: 437

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTJS3157NT2
ON Semiconductor

NTJS3157NT2

diel: 389

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD4809N-1G
ON Semiconductor

NTD4809N-1G

diel: 519

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FDMS8692
ON Semiconductor

FDMS8692

diel: 6064

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

Zoznam želaní
NTR4503NT3G
ON Semiconductor

NTR4503NT3G

diel: 364

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4809NH-1G
ON Semiconductor

NTD4809NH-1G

diel: 479

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD70N03RG
ON Semiconductor

NTD70N03RG

diel: 292

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTF3055L175T3
ON Semiconductor

NTF3055L175T3

diel: 346

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

Zoznam želaní
FDMC8884
ON Semiconductor

FDMC8884

diel: 146845

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), 15A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

Zoznam želaní
NTD95N02RT4G
ON Semiconductor

NTD95N02RT4G

diel: 321

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4806N-1G
ON Semiconductor

NTD4806N-1G

diel: 461

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTP85N03G
ON Semiconductor

NTP85N03G

diel: 308

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 28V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 85A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V,

Zoznam želaní
FDS8670
ON Semiconductor

FDS8670

diel: 551

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 21A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 21A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4863NAT4G
ON Semiconductor

NTD4863NAT4G

diel: 6115

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTHD3133PFT3G
ON Semiconductor

NTHD3133PFT3G

diel: 539

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.2A (Tj), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Zoznam želaní
FDS8812NZ
ON Semiconductor

FDS8812NZ

diel: 426

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTGS4111PT2G
ON Semiconductor

NTGS4111PT2G

diel: 472

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

Zoznam želaní
NTGS3441BT1G
ON Semiconductor

NTGS3441BT1G

diel: 505

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTMFS4837NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4837NT3G

diel: 485

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), 74A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTMSD3P102R2SG
ON Semiconductor

NTMSD3P102R2SG

diel: 6031

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.34A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V,

Zoznam želaní
NTD6600NT4
ON Semiconductor

NTD6600NT4

diel: 319

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Zoznam želaní
NTMD4884NFR2G
ON Semiconductor

NTMD4884NFR2G

diel: 535

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4809N-35G
ON Semiconductor

NTD4809N-35G

diel: 515

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTK3134NT5G
ON Semiconductor

NTK3134NT5G

diel: 507

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 750mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 890mA, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD4857N-35G
ON Semiconductor

NTD4857N-35G

diel: 446

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4804NA-35G
ON Semiconductor

NTD4804NA-35G

diel: 6086

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FDZ201N
ON Semiconductor

FDZ201N

diel: 357

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V,

Zoznam želaní
FQPF10N60CF
ON Semiconductor

FQPF10N60CF

diel: 330

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V,

Zoznam želaní
FDS8874
ON Semiconductor

FDS8874

diel: 596

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 16A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 16A, 10V,

Zoznam želaní
NTD3808NT4G
ON Semiconductor

NTD3808NT4G

diel: 593

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 16V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4808N-35G
ON Semiconductor

NTD4808N-35G

diel: 495

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4856N-35G
ON Semiconductor

NTD4856N-35G

diel: 475

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTGS3443BT1G
ON Semiconductor

NTGS3443BT1G

diel: 458

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTMFS4707NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4707NT1G

diel: 314

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4302-1G
ON Semiconductor

NTD4302-1G

diel: 303

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní