Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
NTMFS4701NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT3G

diel: 299

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTD3813N-35G
ON Semiconductor

NTD3813N-35G

diel: 588

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 16V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4855N-35G
ON Semiconductor

NTD4855N-35G

diel: 499

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Ta), 98A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD95N02R-001
ON Semiconductor

NTD95N02R-001

diel: 6095

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
FQA6N90_F109
ON Semiconductor

FQA6N90_F109

diel: 385

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

Zoznam želaní
NTD60N02R-35G
ON Semiconductor

NTD60N02R-35G

diel: 5688

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTD60N02R-1G
ON Semiconductor

NTD60N02R-1G

diel: 353

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTGS3447PT1G
ON Semiconductor

NTGS3447PT1G

diel: 444

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD4806NA-1G
ON Semiconductor

NTD4806NA-1G

diel: 469

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD50N03RT4
ON Semiconductor

NTD50N03RT4

diel: 298

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Zoznam želaní
NTD3055L170
ON Semiconductor

NTD3055L170

diel: 270

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

Zoznam želaní
NTD65N03R
ON Semiconductor

NTD65N03R

diel: 355

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTLJF3118NTAG
ON Semiconductor

NTLJF3118NTAG

diel: 497

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD4857N-1G
ON Semiconductor

NTD4857N-1G

diel: 6090

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD65N03R-035
ON Semiconductor

NTD65N03R-035

diel: 300

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTLJS4159NT1G
ON Semiconductor

NTLJS4159NT1G

diel: 331

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V,

Zoznam želaní
FDD8444L
ON Semiconductor

FDD8444L

diel: 423

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 16A (Ta), 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
NTMS4872NR2G
ON Semiconductor

NTMS4872NR2G

diel: 525

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6A (Ta), 10.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10.2A, 10V,

Zoznam želaní
NTMFS4122NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4122NT3G

diel: 387

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.1A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14A, 10V,

Zoznam želaní
FDB8832
ON Semiconductor

FDB8832

diel: 39081

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 34A (Ta), 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
FDM6296
ON Semiconductor

FDM6296

diel: 371

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V,

Zoznam želaní
FDC636P
ON Semiconductor

FDC636P

diel: 589

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Zoznam želaní
NTD4863N-1G
ON Semiconductor

NTD4863N-1G

diel: 444

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FDI8441
ON Semiconductor

FDI8441

diel: 458

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 26A (Ta), 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
NTMFS4835NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4835NT3G

diel: 474

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13A (Ta), 130A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTD78N03-035
ON Semiconductor

NTD78N03-035

diel: 313

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Zoznam želaní
FDR858P
ON Semiconductor

FDR858P

diel: 332

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní
NTD85N02RG
ON Semiconductor

NTD85N02RG

diel: 385

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 85A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4806NA-35G
ON Semiconductor

NTD4806NA-35G

diel: 501

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NTR4503NT1
ON Semiconductor

NTR4503NT1

diel: 330

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Zoznam želaní
NTD4804N-35G
ON Semiconductor

NTD4804N-35G

diel: 470

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 11.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
FQU13N10LTU
ON Semiconductor

FQU13N10LTU

diel: 106178

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní
NTD95N02R-1G
ON Semiconductor

NTD95N02R-1G

diel: 6084

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NVTFS5124PLTAG
ON Semiconductor

NVTFS5124PLTAG

diel: 118550

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 3A, 10V,

Zoznam želaní
NTD3813NT4G
ON Semiconductor

NTD3813NT4G

diel: 549

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 16V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
NTF2955PT1G
ON Semiconductor

NTF2955PT1G

diel: 500

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 2.4A, 10V,

Zoznam želaní