Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
SQ3461EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3461EV-T1_GE3

diel: 16248

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

Zoznam želaní
IRFBA22N50APBF
Vishay Siliconix

IRFBA22N50APBF

diel: 9656

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13.8A, 10V,

Zoznam želaní
SI7615CDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7615CDN-T1-GE3

diel: 117745

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 4.5V,

Zoznam želaní
SI7613DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7613DN-T1-GE3

diel: 153465

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 17A, 10V,

Zoznam želaní
SIRC06DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRC06DP-T1-GE3

diel: 16278

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 32A (Ta), 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
IRFL9110PBF
Vishay Siliconix

IRFL9110PBF

diel: 9789

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 660mA, 10V,

Zoznam želaní
SIR668ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668ADP-T1-RE3

diel: 16215

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 93.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SIRA64DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA64DP-T1-RE3

diel: 16262

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
IRC630PBF
Vishay Siliconix

IRC630PBF

diel: 9703

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Zoznam želaní
IRC640PBF
Vishay Siliconix

IRC640PBF

diel: 9672

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
SIR158DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-GE3

diel: 80850

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
IRC730PBF
Vishay Siliconix

IRC730PBF

diel: 9620

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Zoznam želaní
SI5476DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5476DU-T1-GE3

diel: 125161

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 10V,

Zoznam želaní
IRC840PBF
Vishay Siliconix

IRC840PBF

diel: 9647

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Zoznam želaní
SIRA22DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA22DP-T1-RE3

diel: 16213

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 0.76 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
IRFB16N60LPBF
Vishay Siliconix

IRFB16N60LPBF

diel: 9618

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 16A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 9A, 10V,

Zoznam želaní
SIRA96DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA96DP-T1-GE3

diel: 109322

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 16A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
IRFL9014PBF
Vishay Siliconix

IRFL9014PBF

diel: 5643

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1.1A, 10V,

Zoznam želaní
SIHW47N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHW47N65E-GE3

diel: 9529

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 47A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 24A, 10V,

Zoznam želaní
IRFR310TRRPBF
Vishay Siliconix

IRFR310TRRPBF

diel: 9801

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní
SI2333DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2333DS-T1-GE3

diel: 190207

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.1A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V,

Zoznam želaní
IRFU4105ZTRL
Vishay Siliconix

IRFU4105ZTRL

diel: 9349

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

Zoznam želaní
IRLL1503TR
Vishay Siliconix

IRLL1503TR

diel: 9260

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,

Zoznam želaní
SQM110P04-04L-GE3
Vishay Siliconix

SQM110P04-04L-GE3

diel: 9420

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
SI1058X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1058X-T1-GE3

diel: 9419

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

Zoznam želaní
SI1303DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-E3

diel: 9355

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 670mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V,

Zoznam želaní
IRFB17N60K
Vishay Siliconix

IRFB17N60K

diel: 9329

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
SI4493DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4493DY-T1-E3

diel: 9378

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.75 mOhm @ 14A, 4.5V,

Zoznam želaní
SUD50N02-06P-E3
Vishay Siliconix

SUD50N02-06P-E3

diel: 64931

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SIHP050N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP050N60E-GE3

diel: 9320

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 51A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,

Zoznam želaní
IRFU4105ZTRR
Vishay Siliconix

IRFU4105ZTRR

diel: 9357

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

Zoznam želaní
IRFIZ46G
Vishay Siliconix

IRFIZ46G

diel: 9274

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V,

Zoznam želaní
IRF9530SPBF
Vishay Siliconix

IRF9530SPBF

diel: 36695

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Zoznam želaní
SI7407DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7407DN-T1-E3

diel: 9422

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15.6A, 4.5V,

Zoznam želaní
SI4004DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4004DY-T1-GE3

diel: 9459

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 11A, 10V,

Zoznam želaní
SI7380ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7380ADP-T1-GE3

diel: 5947

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní