Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Vishay Siliconix

IRFI540GPBF

diel: 25306

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

SI8805EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8805EDB-T2-E1

diel: 116920

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.2V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Zoznam želaní

SI1414DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1414DH-T1-GE3

diel: 105432

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4A, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRLU110PBF

diel: 44175

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

Zoznam želaní

SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ480E-T1_GE3

diel: 54836

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 150A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

SUP50N10-21P-GE3

Vishay Siliconix

SUP50N10-21P-GE3

diel: 40477

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

SQD07N25-350H_GE3

Vishay Siliconix

SQD07N25-350H_GE3

diel: 8682

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR214TRPBF

diel: 113516

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFU9014PBF

diel: 49898

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

VQ1004P

diel: 1763

Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V,

Zoznam želaní

SQD23N06-31L_GE3

Vishay Siliconix

SQD23N06-31L_GE3

diel: 97850

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFU110PBF

diel: 75528

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF644PBF

diel: 48209

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,

Zoznam želaní

SIR644DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR644DP-T1-GE3

diel: 121512

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF9640PBF

diel: 40692

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Zoznam želaní

SI1315DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1315DL-T1-GE3

diel: 176998

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 900mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 336 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR9014TRPBF

diel: 149247

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Zoznam želaní

SUP53P06-20-GE3

Vishay Siliconix

SUP53P06-20-GE3

diel: 1777

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.2A (Ta), 53A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

VP0808B-2

diel: 1858

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 880mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFD9123

diel: 1797

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1A (Ta), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR430ATRPBF

diel: 80238

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

VP0808B-E3

diel: 1809

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 880mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

SQD30N05-20L_GE3

Vishay Siliconix

SQD30N05-20L_GE3

diel: 110170

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

SQD97N06-6M3L_GE3

Vishay Siliconix

SQD97N06-6M3L_GE3

diel: 97635

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 97A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR9020TRPBF

diel: 105921

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR9120PBF

diel: 66670

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Zoznam želaní

SUD42N03-3M9P-GE3

Vishay Siliconix

SUD42N03-3M9P-GE3

diel: 1783

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 42A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 22A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFP26N60L

diel: 1825

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 26A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 16A, 10V,

Zoznam želaní

SIJH440E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJH440E-T1-GE3

diel: 57409

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 200A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRLIZ34GPBF

diel: 25084

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 12A, 5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRF9510SPBF

diel: 32554

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Zoznam želaní

SIR482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR482DP-T1-GE3

diel: 1852

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRLZ24PBF

diel: 54654

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

IRFR9024TRPBF

diel: 180875

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

Zoznam želaní

SI4038DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4038DY-T1-GE3

diel: 1778

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 42.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní

Vishay Siliconix

VP0808B

diel: 1769

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 880mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Zoznam želaní

3600

«
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
»