Diódy - Usmerňovače - Jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 6

CBS05F30(TPL3)

diel: 1645

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 450mV @ 500mA, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

diel: 131336

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 620mV @ 100mA, Rýchlosť: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

diel: 1424

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 0.47V @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

diel: 1267

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 100mA, Rýchlosť: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

diel: 1440

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 0.47V @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

diel: 1359

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 0.98V @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

diel: 1368

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

diel: 1091

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 450mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

diel: 1170

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 450mV @ 700mA, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

diel: 1121

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 450mV @ 500mA, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

diel: 852

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

diel: 101221

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 510mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

diel: 779

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 470mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

diel: 186793

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 360mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

diel: 9971

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

diel: 186045

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 450mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

diel: 161979

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 360mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

diel: 122216

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

diel: 168808

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 470mV @ 500mA, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

diel: 784

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 390mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

diel: 171031

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 400mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

diel: 142010

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 140mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 580mV @ 100mA, Rýchlosť: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Čas spätného zotavenia (trr): 1.5ns,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

diel: 262

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 450mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

diel: 173

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 510mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

diel: 183

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 400mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

diel: 211

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 370mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

diel: 213

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

diel: 196

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 460mV @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

diel: 264

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 360mV @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

diel: 5028

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 980mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

diel: 200

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 360mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

diel: 264

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 360mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

diel: 178

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 370mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

diel: 129014

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 370mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

diel: 124325

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 400mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

diel: 143420

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní