Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, pred | Diskrétne polovodičové výrobk | 6

RN2608(TE85L,F)

diel: 98

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2605(TE85L,F)

diel: 173

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901FETE85LF

diel: 106

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4602TE85LF

diel: 138

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1511(TE85L,F)

diel: 136

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2963(TE85L,F)

diel: 77

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1610(TE85L,F)

diel: 111

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1964TE85LF

diel: 84

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2703JE(TE85L,F)

diel: 92

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4603(TE85L,F)

diel: 170

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF(CT

diel: 103003

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2903,LF(CT

diel: 185995

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4609(TE85L,F)

diel: 95

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2965(TE85L,F)

diel: 100

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1502(TE85L,F)

diel: 162

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2505TE85LF

diel: 95

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911FE(TE85L,F)

diel: 89

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4907,LF

diel: 195313

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4607(TE85L,F)

diel: 95

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901,LF(CT

diel: 185851

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905,LF(CT

diel: 115

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2610(TE85L,F)

diel: 94

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1703JE(TE85L,F)

diel: 155

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2708JE(TE85L,F)

diel: 101

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1601(TE85L,F)

diel: 91

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902,LF(CT

diel: 160819

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2707JE(TE85L,F)

diel: 113

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2602(TE85L,F)

diel: 105554

Typ tranzistora: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1604(TE85L,F)

diel: 90

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1706JE(TE85L,F)

diel: 128509

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1608(TE85L,F)

diel: 103

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4910,LF

diel: 104942

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1503(TE85L,F)

diel: 1865

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE,LF(CT

diel: 119363

Typ tranzistora: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4989(T5L,F,T)

diel: 1626

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4906,LF

diel: 1441

Typ tranzistora: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Zoznam želaní