Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

IDC05S60CEX1SA1

diel: 2377

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 5A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

diel: 5266

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 2A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

diel: 2371

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 9A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 9A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

diel: 2399

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 8A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

diel: 2331

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 2A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

diel: 34878

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 50A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.15V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

diel: 2626

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 6A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

diel: 2341

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.7V @ 200A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

diel: 2382

IDK12G65C5XTMA1

diel: 2311

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 12A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

diel: 2434

IDL04G65C5XUMA1

diel: 2353

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 4A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

diel: 1516

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 120A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2V @ 75A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

diel: 2335

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 6A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

diel: 2342

IDW40G65C5XKSA1

diel: 4319

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 40A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 40A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

diel: 2440

IDW15S120FKSA1

diel: 2436

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 15A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 15A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

diel: 2289

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 12A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

diel: 2299

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1400V, Current - Average Rectified (Io): 1050A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1000A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

diel: 12700

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 27A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.35V @ 12A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

diel: 5258

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.7V @ 150A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

diel: 2367

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 8A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

diel: 5312

IDW15E65D2FKSA1

diel: 41876

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.3V @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

diel: 2322

D1050N16TXPSA1

diel: 2266

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 1050A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1000A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

diel: 8465

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 41A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.35V @ 20A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

diel: 5317

IRD3CH16DF6

diel: 2362

IDW10G65C5XKSA1

diel: 12731

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

diel: 2365

IDK10G65C5XTMA1

diel: 2337

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

diel: 6043

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.95V @ 16A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

diel: 2321

IRD3CH42DF6

diel: 2347