Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

D2700U45X122XOSA1

diel: 287

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 4500V, Current - Average Rectified (Io): 2900A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

diel: 324

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 9000V, Current - Average Rectified (Io): 1790A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 5.5V @ 4000A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

diel: 307

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 4500V, Current - Average Rectified (Io): 2380A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.5V @ 2500A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

diel: 304

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 8500V, Current - Average Rectified (Io): 3040A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

diel: 5330

IDP45E60XKSA1

diel: 38822

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 71A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2V @ 45A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

diel: 34916

IDK04G65C5XTMA1

diel: 2364

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 4A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

diel: 2397

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.7V @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

diel: 9090

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 16A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

diel: 2378

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.7V @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

diel: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

diel: 1902

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 42A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.1V @ 40A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

diel: 2407

IRD3CH101DD6

diel: 2319

IDW40E65D2FKSA1

diel: 30469

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.3V @ 40A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

diel: 2356

IRD3CH16DB6

diel: 2357

IRD3CH5BD6

diel: 5238

IDC08S60CEX1SA3

diel: 2424

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 8A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

diel: 10387

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.95V @ 8A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

diel: 2297

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 2A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

diel: 7574

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 20A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

diel: 2364

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 12A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

diel: 2327

IDB10S60CATMA2

diel: 5332

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

diel: 2339

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 75A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.7V @ 75A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

diel: 2324

IRD3CH11DB6

diel: 2369

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.7V @ 25A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

diel: 2324

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 8A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

diel: 5234

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.7V @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

diel: 68501

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.3V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

diel: 2296

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

diel: 2355

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.9V @ 4A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

diel: 2298

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 3A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

diel: 2285

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 5A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,