Diódy - Usmerňovače - Jednoduché

IRD3CH31DD6

diel: 2359

D770N14TXPSA1

diel: 2110

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1400V, Current - Average Rectified (Io): 770A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.08V @ 400A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

diel: 46154

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 30A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.2V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

diel: 47923

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 28A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 20A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

diel: 18927

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.35V @ 8A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

diel: 2033

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 770A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.08V @ 400A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

diel: 2267

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 1050A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1000A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

diel: 67894

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

diel: 2099

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 2000V, Current - Average Rectified (Io): 770A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.08V @ 400A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

diel: 2264

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 2000V, Current - Average Rectified (Io): 820A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 750A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

diel: 13098

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 5A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

diel: 8281

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

diel: 59599

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.3V @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

diel: 12018

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 12A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

diel: 4502

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 56A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 20A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

diel: 1555

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 6A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

diel: 26323

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

diel: 1624

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 6A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

diel: 1668

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 30A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 30A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

diel: 1640

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

diel: 1490

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 28A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.15V @ 12A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

IDP09E120

diel: 1554

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 23A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.15V @ 9A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

diel: 1630

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 20A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

diel: 1521

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 41A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2V @ 23A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

diel: 1478

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.3V @ 3A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDB15E60

diel: 1514

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 29.2A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2V @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

diel: 1609

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 3A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 3A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

diel: 1514

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 5A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

diel: 5259

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 16A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 16A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDP06E60

diel: 1466

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 14.7A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2V @ 6A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

diel: 1682

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 8A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

diel: 1500

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 71A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2V @ 45A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

diel: 1666

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 12A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

diel: 1642

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 9A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 9A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

diel: 15125

Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 24A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.35V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 0ns,

IDV30E60C

diel: 5572

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 21A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.05V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 130ns,