Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - IGBT - moduly

APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

diel: 479

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 450A, Výkon - max: 1560W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A,

Na priania
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

diel: 449

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual, Common Source, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 430A, Výkon - max: 1562W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Na priania
APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

diel: 437

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 430A, Výkon - max: 1562W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Na priania
APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

diel: 508

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 430A, Výkon - max: 1562W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Na priania
APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

diel: 424

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 430A, Výkon - max: 1562W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Na priania
APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

diel: 514

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 460A, Výkon - max: 1400W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Na priania
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

diel: 504

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Three Phase Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 42A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Na priania
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

diel: 444

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 520A, Výkon - max: 1560W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

Na priania
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

diel: 469

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 42A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Na priania
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

diel: 491

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 42A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Na priania
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation

APTGF300U120DG

diel: 440

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1780W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30A60T1G

diel: 3064

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 42A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Na priania
APTGF300SK120G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120G

diel: 426

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1780W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120D3G

diel: 497

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 420A, Výkon - max: 2100W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF300DU120G
Microsemi Corporation

APTGF300DU120G

diel: 448

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual, Common Source, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1780W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120G

diel: 514

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1780W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF300A120G
Microsemi Corporation

APTGF300A120G

diel: 339

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1780W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120D3G

diel: 492

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 420A, Výkon - max: 2100W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300A120D3G

diel: 3070

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 420A, Výkon - max: 2100W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF25X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25X120T3G

diel: 420

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Three Phase Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 208W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Na priania
APTGF25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T3G

diel: 481

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 208W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Na priania
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T1G

diel: 430

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 208W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Na priania
APTGF25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25A120T1G

diel: 483

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 208W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Na priania
APTGF25DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DDA120T3G

diel: 415

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual Boost Chopper, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 208W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Na priania
APTGF250DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250DA60D3G

diel: 450

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF250SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250SK60D3G

diel: 511

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF250A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250A60D3G

diel: 427

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400A, Výkon - max: 1250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Na priania
APTGF200U120DG
Microsemi Corporation

APTGF200U120DG

diel: 461

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 275A, Výkon - max: 1136W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200SK120D3G

diel: 439

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 300A, Výkon - max: 1400W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF200DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200DA120D3G

diel: 440

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 300A, Výkon - max: 1400W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF180SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF180SK60TG

diel: 434

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 220A, Výkon - max: 833W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Na priania
APTGF200A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200A120D3G

diel: 506

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 300A, Výkon - max: 1400W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF180H60G
Microsemi Corporation

APTGF180H60G

diel: 481

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 220A, Výkon - max: 833W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Na priania
APTGF180DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DU60TG

diel: 433

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual, Common Source, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 220A, Výkon - max: 833W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Na priania
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation

APTGF180DH60G

diel: 421

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 220A, Výkon - max: 833W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Na priania
APTGF180DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DA60TG

diel: 482

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 220A, Výkon - max: 833W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Na priania